Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 4.4 A 800 V, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, E

RS-varenummer:: 225-9918
Producentens varenummer:: SIHP5N80AE-GE3
Brand:: Vishay

Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 4.4 A 800 V, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, E

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 291,20

(ekskl. moms)

Kr. 364,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Restlager hos RS

Sidste 1.050 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager

Enheder	Per stk.	Pr rør*
50 +	Kr. 5,824	Kr. 291,20

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 225-9918
Producentens varenummer:: SIHP5N80AE-GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Kanaltype	N
	Produkttype	Effekt MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	4.4A
	Drain source spænding maks. Vds	800V
	Serie	E
	Emballagetype	JEDEC TO-220AB
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	1.35Ω
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	16.5nC
	Portkildespænding maks.	30V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	62.5W
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Bredde	4.65mm
	Længde	10.52mm
	Højde	15.85mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Kanaltype N
	Produkttype Effekt MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.4A
	Drain source spænding maks. Vds 800V
	Serie E
	Emballagetype JEDEC TO-220AB
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 1.35Ω
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 16.5nC
	Portkildespænding maks. 30V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 62.5W
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Standarder/godkendelser RoHS
	Bredde 4.65mm
	Længde 10.52mm
	Højde 15.85mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - SIHP5N80AE-GE3

Vishay serie E Power MOSFET, 800 V drain source spænding, 62,5 W maksimal effekttab - SIHP5N80AE-GE3

Denne effekt-MOSFET er en højspændings N-kanal-transistor, der er designet til koblings- og strømkonverteringsopgaver i industrielle miljøer. Den fungerer over et bredt omgivelsestemperaturområde og leveres i en TO-220AB-pakke til konventionel montering. Enheden understøtter høje krav til drain-source-spænding, samtidig med at den giver moderat kontinuerlig strømkapacitet og er beregnet til overflademonterede anvendelser i udstyr, der kræver RoHS-kompatible komponenter.

Egenskaber og fordele:

• 800 V afløbskapacitet muliggør højspændingsswitching
• 4,4 A kontinuerlig strøm passer til moderate effektbelastninger
• 1,35 Ω Rds(on) minimerer ledningstab under belastning
• 62,5 W maks. tab understøtter forøget effekthåndtering
• 16,5 nC typisk gate-ladning muliggør hurtigere gate-overgange
• ±30 V gate-tolerance giver mulighed for fleksible driftsspændinger

Anvendelser

• Velegnet til højspændingsstrømforsyninger og konvertere
• Ideel til industriel switch-mode-strøm
• Anvendes sammen med motordrev, der kræver en robust spændingsmargin
• Kan bruges til snubber- og klemmekredsløb i HV-systemer
• Velegnet til laboratorieprøveanlæg, der håndterer høje spændinger

Hvilke termiske ekstremer kan den modstå under drift?

Den er normeret til drift fra -55 °C op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug under både koldstart og industrielle forhold med høje temperaturer.

Hvilken pakke og monteringsmetode bruger den til printimplementering?

Den leveres i en TO-220AB-pakke og er beregnet til overflademonteret installation, hvilket letter varmeafledning af hulform på samlinger.

Hvor mange tilslutningsben medfølger, og hvad er polaritetstypen?

Enheden har tre ben og anvender en N-kanal-type med typiske MOSFET-benfunktioner til gate, drain og source.

Er der grænser for portdrevspændingen for at undgå skader?

Gate-source-spændingen må ikke overstige 30 V for at forhindre overbelastning af porten under kørslen.