Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 4.4 A 800 V, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, E

RS-varenummer:: 225-9918
Producentens varenummer:: SIHP5N80AE-GE3
Brand:: Vishay

Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 4.4 A 800 V, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, E

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 291,20

(ekskl. moms)

Kr. 364,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

Plus 1.050 enhed(er) afsendes fra 23. juli 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rør*
50 +	Kr. 5,824	Kr. 291,20

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 225-9918
Producentens varenummer:: SIHP5N80AE-GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Kanaltype	Type N
	Produkttype	Effekt MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	4.4A
	Drain source spænding maks. Vds	800V
	Serie	E
	Emballagetype	JEDEC TO-220AB
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	1.35Ω
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Portkildespænding maks.	30V
	Effektafsættelse maks. Pd	62.5W
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	16.5nC
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Bredde	4.65mm
	Højde	15.85mm
	Længde	10.52mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Kanaltype Type N
	Produkttype Effekt MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.4A
	Drain source spænding maks. Vds 800V
	Serie E
	Emballagetype JEDEC TO-220AB
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 1.35Ω
	Min. driftstemperatur -55°C
	Portkildespænding maks. 30V
	Effektafsættelse maks. Pd 62.5W
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 16.5nC
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Standarder/godkendelser RoHS
	Bredde 4.65mm
	Højde 15.85mm
	Længde 10.52mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - SIHP5N80AE-GE3

Vishay seriens E-effekt MOSFET, 800 V drain-kildespænding, 4,4 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SIHP5N80AE-GE3

Denne effekt-MOSFET er en højspændingstransistor, der er designet til brug i strømkonverterings- og styresystemer. Den fungerer som en N-kanal-enhed, der er i stand til at håndtere høje drain-source-spændinger, beregnet til overflademonterede anvendelser, hvor robust termisk og elektrisk ydeevne er påkrævet.

Egenskaber og fordele:

• 800 V drain-source-klassificering muliggør højspændingskoblingsanvendelser
• 4,4 A kontinuerlig afløbsstrøm muliggør moderat belastningshåndtering
• 1,35 Ω Rds(on) reducerer ledningstab ved driftsstrøm
• 62,5 W effekttab understøtter vedvarende strømcyklusser
• 30 V porttolerance giver mulighed for brede portdrevmargener
• 16,5 nC typisk gate-opladning hjælper med forudsigelig skifteadfærd

Anvendelser

• Velegnet til switch-mode strømforsyninger, der håndterer høje DC-skinner
• Ideel til industrielle motordrev-front-end-skiftetrin
• Anvendes til højspændings-snubber- eller klemmekredsløb i strømsystemer
• Kan bruges til isolerede boost-omformerswitche i automatisering

Hvilket termisk område kan enheden fungere inden for?

Den fungerer mellem -55 °C og 150 °C, hvilket giver mulighed for brug over en bred vifte af omgivelsestemperaturer.

Hvordan håndteres monteringen til printkortmontering?

Pakken er en TO-220AB overflademonteret type med tre ben til montering på gennemgående kort eller køleplade.

Hvilke hensyn til gate-driver skal jeg bemærke?

Gate-source-mærkespændingen er 30 V, så gate-drivere bør begrænse udgange inden for denne tærskel for at forhindre skader.

Hvor stor er den typiske indvirkning på gate-driverenergi?

Enheden har en typisk gate-ladning på 16,5 nC, som informerer om beregninger af driverstørrelse og koblingstab.