Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 4.4 A 800 V, 3 Ben, TO-220, E
- RS-varenummer:
- 225-9918
- Producentens varenummer:
- SIHP5N80AE-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 291,20
(ekskl. moms)
Kr. 364,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 1.050 enhed(er) afsendes fra 13. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 + | Kr. 5,824 | Kr. 291,20 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 225-9918
- Producentens varenummer:
- SIHP5N80AE-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4.4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | E | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.35Ω | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 16.5nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 62.5W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 15.85mm | |
| Længde | 10.52mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie E | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.35Ω | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 16.5nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 62.5W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 15.85mm | ||
Længde 10.52mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay Siliconix opretholder pålidelige data for halvlederteknologi og pakkens pålidelighed og repræsenterer en sammensat af alle kvalificerede placeringer.
Lavt figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Lav effektiv kapacitet (CISS)
Færre skift og ledningstab
Meget lav portopladning (Qg)
Nominel lavine-energi (UIS)
Integreret Zener-diode ESD-beskyttelse
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 4.4 A 800 V TO-220, E
- Vishay Type N-Kanal 4.4 A 800 V TO-263, E
- Vishay Type N-Kanal 15 A 800 V Forbedring TO-220, E
- Vishay Type N-Kanal 7 A 800 V Forbedring TO-220, E
- Vishay Type N-Kanal 13 A 800 V Forbedring TO-220, E
- Vishay Type N-Kanal 7.5 A 800 V Forbedring TO-220, E
- Vishay Type N-Kanal 6 A 800 V Forbedring TO-220, E
- Vishay Type N-Kanal 4.4 A 800 V Forbedring IPAK, SiHU5N80AE