Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 15 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, E Nej SIHP17N80AE-GE3
- RS-varenummer:
- 210-4994
- Producentens varenummer:
- SIHP17N80AE-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 108,16
(ekskl. moms)
Kr. 135,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 655 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 21,632 | Kr. 108,16 |
| 50 - 120 | Kr. 18,386 | Kr. 91,93 |
| 125 - 245 | Kr. 17,324 | Kr. 86,62 |
| 250 - 495 | Kr. 16,232 | Kr. 81,16 |
| 500 + | Kr. 15,154 | Kr. 75,77 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 210-4994
- Producentens varenummer:
- SIHP17N80AE-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 15A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | E | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 250mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 41nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 179W | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 14.69mm | |
| Højde | 4.24mm | |
| Bredde | 9.96 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 15A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie E | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 250mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 41nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 179W | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 14.69mm | ||
Højde 4.24mm | ||
Bredde 9.96 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay E seriens Power MOSFET har TO-220AB hustype med 15 A drænstrøm.
Lavt figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Lav effektiv kapacitet (Co(er))
Færre skift og ledningstab
Nominel lavine-energi (UIS)
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 15 A 800 V TO-220AB, E SIHP17N80AE-GE3
- Vishay N-Kanal 13 A 800 V TO-220AB, E SIHP15N80AE-GE3
- Vishay N-Kanal 4 3 ben E-Series SIHP5N80AE-GE3
- Vishay N-Kanal 15 A 850 V TO-220AB, E Series SiHP17N80AEF-GE3
- Vishay N-Kanal 15 A 800 V TO-247AC, E SIHG17N80AE-GE3
- Vishay N-Kanal 15 A 800 V D2PAK (TO-263), E SIHB17N80AE-GE3
- Vishay N-Kanal 20 A 800 V TO-220AB SIHP24N80AEF-GE3
- Vishay N-Kanal 8 A 800 V TO-220AB, EF Series SIHP11N80AEF-GE3
