Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 7 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, E Nej SIHA17N80AE-GE3
- RS-varenummer:
- 210-4961
- Producentens varenummer:
- SIHA17N80AE-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 57,82
(ekskl. moms)
Kr. 72,275
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 975 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 11,564 | Kr. 57,82 |
| 50 - 120 | Kr. 10,412 | Kr. 52,06 |
| 125 - 245 | Kr. 8,332 | Kr. 41,66 |
| 250 - 495 | Kr. 6,926 | Kr. 34,63 |
| 500 + | Kr. 6,014 | Kr. 30,07 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 210-4961
- Producentens varenummer:
- SIHA17N80AE-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Serie | E | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 250mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 34W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 62nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 9.7 mm | |
| Højde | 4.3mm | |
| Længde | 28.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Serie E | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 250mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 34W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 62nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 9.7 mm | ||
Højde 4.3mm | ||
Længde 28.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay E seriens Power MOSFET har tynd ledning TO-220 FULLPAK hustype med 7 A drænstrøm.
Lavt figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Lav effektiv kapacitet (Co(er))
Færre skift og ledningstab
Nominel lavine-energi (UIS)
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 7 A 800 V TO-220 FP, E SIHA17N80AE-GE3
- Vishay N-Kanal 7 3 ben E SIHA21N80AE-GE3
- Vishay N-Kanal 6 A 800 V TO-220 FP, E SIHA15N80AE-GE3
- Vishay N-Kanal 3 A 850 V TO-220 FP, E Series SiHA5N80AE-GE3
- Vishay N-Kanal 9 A 850 V TO-220 FP, E Series SIHA24N80AE-GE3
- Vishay N-Kanal 14 A 650 V TO-220 FP, E Series SiHF080N60E-GE3
- Vishay N-Kanal 2 4 3 ben E SiHA690N60E-GE3
- Vishay N-Kanal 7 A 850 V TO-220 FP SIHA21N80AEF-GE3
