Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 8 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, E Nej SIHG11N80AE-GE3

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 95,50

(ekskl. moms)

Kr. 119,40

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.500 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 +Kr. 19,10Kr. 95,50

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
210-4982
Producentens varenummer:
SIHG11N80AE-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

8A

Drain source spænding maks. Vds

800V

Emballagetype

TO-247

Serie

E

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

391mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

78W

Portkildespænding maks.

30 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

28nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

45.3mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

15.5 mm

Højde

4.83mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay E seriens Power MOSFET har TO-247AC hustype med enkelt konfiguration.

Lavt figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Lav effektiv kapacitet (CISS)

Færre skift og ledningstab

Meget lav portopladning (Qg)

Nominel lavine-energi (UIS)

Integreret Zener-diode ESD-beskyttelse

Relaterede links