Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 17.4 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, SiHW21N80AE Nej SIHW21N80AE-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 77,57

(ekskl. moms)

Kr. 96,962

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 14. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 38,785Kr. 77,57
20 - 48Kr. 34,855Kr. 69,71
50 - 98Kr. 33,025Kr. 66,05
100 - 198Kr. 31,115Kr. 62,23
200 +Kr. 29,135Kr. 58,27

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
188-5016
Producentens varenummer:
SIHW21N80AE-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

17.4A

Drain source spænding maks. Vds

800V

Serie

SiHW21N80AE

Emballagetype

TO-247

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

235mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

30 V

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Effektafsættelse maks. Pd

32W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

48nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

5.31 mm

Længde

16.26mm

Højde

21.46mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Power MOSFET i E-serien.

Lavt figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Lav effektiv kapacitet (Co(er))

Færre skift og ledningstab

ANVENDELSER

Strømforsyninger til server og telekom

Switch-mode strømforsyning (SMPS)

Effektfaktorkorrektion-strømforsyninger (PFC)

Relaterede links