Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 17.4 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, SiHW21N80AE Nej

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 30 enheder)*

Kr. 764,46

(ekskl. moms)

Kr. 955,56

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 13. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
30 - 30Kr. 25,482Kr. 764,46
60 - 120Kr. 24,973Kr. 749,19
150 +Kr. 23,699Kr. 710,97

*Vejledende pris

RS-varenummer:
188-4880
Producentens varenummer:
SIHW21N80AE-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

17.4A

Drain source spænding maks. Vds

800V

Emballagetype

TO-247

Serie

SiHW21N80AE

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

235mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

30 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

48nC

Effektafsættelse maks. Pd

32W

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bredde

5.31 mm

Længde

16.26mm

Højde

21.46mm

Bilindustristandarder

Nej

Power MOSFET i E-serien.

Lavt figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Lav effektiv kapacitet (Co(er))

Færre skift og ledningstab

ANVENDELSER

Strømforsyninger til server og telekom

Switch-mode strømforsyning (SMPS)

Effektfaktorkorrektion-strømforsyninger (PFC)

Relaterede links