Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 17.4 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, SiHW21N80AE
- RS-varenummer:
- 188-4880
- Producentens varenummer:
- SIHW21N80AE-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 30 enheder)*
Kr. 861,69
(ekskl. moms)
Kr. 1.077,12
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 16. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | Kr. 28,723 | Kr. 861,69 |
| 60 - 120 | Kr. 28,15 | Kr. 844,50 |
| 150 + | Kr. 26,714 | Kr. 801,42 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 188-4880
- Producentens varenummer:
- SIHW21N80AE-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 17.4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Serie | SiHW21N80AE | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 235mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 32W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 48nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 21.46mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 16.26mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 17.4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Serie SiHW21N80AE | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 235mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 32W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 48nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 21.46mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 16.26mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Power MOSFET i E-serien.
Lavt figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Lav effektiv kapacitet (Co(er))
Færre skift og ledningstab
ANVENDELSER
Strømforsyninger til server og telekom
Switch-mode strømforsyning (SMPS)
Effektfaktorkorrektion-strømforsyninger (PFC)
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 17.4 A 800 V Forbedring TO-247, SiHW21N80AE
- Vishay Type N-Kanal 17.4 A 800 V Forbedring TO-247, SiHG21N80AE
- Vishay Type N-Kanal 17.4 A 800 V Forbedring TO-263, E
- Vishay N-kanal-Kanal 17.4 A 800 V Forbedring TO-263, SIHB21N80AE
- Vishay Type N-Kanal 15 A 800 V Forbedring TO-247, E
- Vishay Type N-Kanal 8 A 800 V Forbedring TO-247, E
- Vishay Type N-Kanal 13 A 800 V Forbedring TO-247, E
- Vishay Type N-Kanal 13 A 800 V TO-247, EF