Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 13 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-247AC, E

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 133,74

(ekskl. moms)

Kr. 167,175

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 195 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 26,748Kr. 133,74
50 - 120Kr. 25,418Kr. 127,09
125 - 245Kr. 24,086Kr. 120,43
250 - 495Kr. 22,74Kr. 113,70
500 +Kr. 21,392Kr. 106,96

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
210-4984
Producentens varenummer:
SIHG15N80AE-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

Effekt MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

13A

Drain source spænding maks. Vds

800V

Serie

E

Emballagetype

TO-247AC

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

304mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

156W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

35nC

Portkildespænding maks.

30V

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

4.6mm

Længde

28.6mm

Bredde

15.5mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Vishay seriens E-effekt MOSFET, 800 V drain-kildespænding, 13 A kontinuerlig drain-strøm - SIHG15N80AE-GE3


Denne effekt-MOSFET er en højspændingstransistor, der er designet til industrielle og strømkonverteringsroller, hvor robust drain-source-blokering er påkrævet. Den fungerer som en N-kanalforbedringsenhed i en TO-247AC-pakke med gennemgående hul, der er velegnet til diskrete strømtrin og eftermonteringsdesign, der kræver en aftagelig strømkomponent.

Egenskaber og fordele:


• 800 V drain-source mærkeværdi til højspændingskontaktkapacitet • 13 A kontinuerlig afløbsstrøm for stabil belastning • 304 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab i strømveje • 35 nC typisk gate-ladning muliggør forudsigelige drevkrav • 156 W effekttab understøtter forhøjet effektgennemstrømning • 30 V maksimal gate-source-spænding tillader standard gate-drive-spændinger

Anvendelser


• Velegnet til industrielle motordrev i automatiseringssystemer • Ideel til højspændingsstrømforsyninger og DC-DC-konvertere • Anvendes til bløde koblingsfaser i forskning i effektelektronik • Kan bruges til prototype- og reparationsopgaver, der kræver montering gennem hul

Hvilket temperaturområde kan den tolerere under drift?


Den fungerer over et driftsområde på -55 °C til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i miljøer med bred termisk variation.

Hvilken monteringstype kræves der til printimplementering?


Enheden er beregnet til montering gennem hul i et TO-247AC-fodaftryk, hvilket letter robust mekanisk fastgørelse og integrering med køleelement.

Hvor mange elektriske forbindelser præsenterer den for kortet?


Tre ben giver drain-, gate- og kildeforbindelser, der er i overensstemmelse med konventionelle transistorlayouts.

Hvilke hensyn til gate-driver skal designere bemærke?


Designere bør sikre, at gate-drivningsamplituderne ikke overstiger 30 V og tager hensyn til den typiske gate-ladning på 35 nC, når du dimensionerer driverstrømme.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.