Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 13 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-247AC, E
- RS-varenummer:
- 210-4984
- Producentens varenummer:
- SIHG15N80AE-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 133,74
(ekskl. moms)
Kr. 167,18
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 190 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 26,748 | Kr. 133,74 |
| 50 - 120 | Kr. 25,418 | Kr. 127,09 |
| 125 - 245 | Kr. 24,086 | Kr. 120,43 |
| 250 - 495 | Kr. 22,74 | Kr. 113,70 |
| 500 + | Kr. 21,392 | Kr. 106,96 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 210-4984
- Producentens varenummer:
- SIHG15N80AE-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 13A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Emballagetype | TO-247AC | |
| Serie | E | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 304mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 35nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 156W | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bredde | 15.5mm | |
| Højde | 4.6mm | |
| Længde | 28.6mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 13A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Emballagetype TO-247AC | ||
Serie E | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 304mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 35nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 156W | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bredde 15.5mm | ||
Højde 4.6mm | ||
Længde 28.6mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay serie E Power MOSFET, 800 V drain source spænding, 156 W maksimal effekttab - SIHG15N80AE-GE3
Denne effekt-MOSFET er en højspændingsswitch-enhed, der er designet til montering gennem hul i strømkonverterings- og industrielle styringsmiljøer. Det er en N-kanalforstærkningstype, der er fremstillet til at håndtere høje drain-source-potentiale, mens den fungerer over et bredt temperaturområde, hvilket gør den velegnet til krævende termiske og elektriske forhold, hvor der kræves robust højspændingsswitching.
Egenskaber og fordele:
• 800 V drain-source-modstandsdygtighed for højspændingskontaktkapacitet
• 13 A kontinuerlig afløbsstrøm til vedvarende belastningshåndtering
• 304 mΩ Rds(on) for at reducere ledningstab
• 156 W maks. tab for højere effektgennemstrømning
• 35 nC typisk gate-ladning for effektiv omskiftningskontrol
• 30 V portklassificering for kompatibilitet med almindelige driverkredsløb
• 13 A kontinuerlig afløbsstrøm til vedvarende belastningshåndtering
• 304 mΩ Rds(on) for at reducere ledningstab
• 156 W maks. tab for højere effektgennemstrømning
• 35 nC typisk gate-ladning for effektiv omskiftningskontrol
• 30 V portklassificering for kompatibilitet med almindelige driverkredsløb
Anvendelser
• Velegnet til industrielle strømomformere og invertere
• Anvendes til højspændingsmotordrevstrin
• Ideel til switch-mode strømforsyninger i industrielle miljøer
• Kan bruges til højspændingstest og beskyttelseskredsløb
• Velegnet til robust montering med gennemgående hul i kontrolpaneler
• Anvendes til højspændingsmotordrevstrin
• Ideel til switch-mode strømforsyninger i industrielle miljøer
• Kan bruges til højspændingstest og beskyttelseskredsløb
• Velegnet til robust montering med gennemgående hul i kontrolpaneler
Hvilket temperaturområde kan den fungere pålideligt inden for?
Den er specificeret til drift fra -55 °C op til 150 °C, velegnet til barske termiske miljøer.
Hvilken pakke og monteringsmetode bruger den til samling?
Enheden leveres i en TO-247AC-pakke, der er konfigureret til montering gennem hul.
Hvordan påvirker dens portkarakteristik koblingsydeevnen?
Med en typisk gate-ladning på 35 nC kræver enheden moderat drevenergi, der balancerer skiftehastighed og drivere.
Hvilken fremadgående spændingsadfærd kan forventes under ledning?
Den fremadrettede spænding er specificeret til 1,2 V, hvilket angiver dens ledningsfald under fremadrettet forspænding.
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 13 A 800 V Forbedring TO-247AC, E
- Vishay N-Kanal 17.4 A 800 V Forbedring TO-247AC, E
- Vishay N-Kanal 15 A 800 V Forbedring TO-247AC, E
- Vishay N-Kanal 13 A 800 V TO-247AC, EF
- Vishay N-Kanal 13 A 800 V Forbedring TO-263, E
- Vishay N-Kanal 8 A 800 V Forbedring TO-247AC, EF
- Vishay N-Kanal 13 A 800 V Forbedring JEDEC TO-220AB, E
- Vishay N-Kanal 19 A 500 V Forbedring TO-247AC, E