Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 13 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, E Nej SIHG15N80AE-GE3
- RS-varenummer:
- 210-4984
- Producentens varenummer:
- SIHG15N80AE-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 124,32
(ekskl. moms)
Kr. 155,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 245 enhed(er) afsendes fra 06. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 24,864 | Kr. 124,32 |
| 50 - 120 | Kr. 23,622 | Kr. 118,11 |
| 125 - 245 | Kr. 22,41 | Kr. 112,05 |
| 250 - 495 | Kr. 21,154 | Kr. 105,77 |
| 500 + | Kr. 19,896 | Kr. 99,48 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 210-4984
- Producentens varenummer:
- SIHG15N80AE-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 13A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | E | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 304mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 35nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 156W | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 4.6mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 15.5 mm | |
| Længde | 28.6mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 13A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie E | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 304mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 35nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 156W | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 4.6mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 15.5 mm | ||
Længde 28.6mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay E seriens Power MOSFET har TO-247AC hustype med 13 A drænstrøm.
Lavt figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Lav effektiv kapacitet (Co(er))
Færre skift og ledningstab
Nominel lavine-energi (UIS)
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 13 A 800 V Forbedring TO-247, E Nej
- Vishay Type N-Kanal 8 A 800 V Forbedring TO-247, E Nej SIHG11N80AE-GE3
- Vishay Type N-Kanal 15 A 800 V Forbedring TO-247, E Nej SIHG17N80AE-GE3
- Vishay Type N-Kanal 13 A 800 V Forbedring TO-220, E Nej SIHP15N80AE-GE3
- Vishay Type N-Kanal 13 A 800 V Forbedring TO-263, E Nej SIHB15N80AE-GE3
- Vishay Type N-Kanal 15 A 800 V Forbedring TO-247, E Nej
- Vishay Type N-Kanal 8 A 800 V Forbedring TO-247, E Nej
- Vishay Type N-Kanal 13 A 800 V Forbedring TO-220, E Nej