Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 17.4 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, E

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 131,05

(ekskl. moms)

Kr. 163,80

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Udgår
  • Sidste 2.770 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 26,21Kr. 131,05
50 - 120Kr. 23,592Kr. 117,96
125 - 245Kr. 20,704Kr. 103,52
250 - 495Kr. 19,134Kr. 95,67
500 +Kr. 16,516Kr. 82,58

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
210-4977
Producentens varenummer:
SIHB21N80AE-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

17.4A

Drain source spænding maks. Vds

800V

Emballagetype

TO-263

Serie

E

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

205mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

48nC

Effektafsættelse maks. Pd

179W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

4.06mm

Længde

14.61mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay E seriens Power MOSFET har D2PAK (TO-263) hustype med 17,4 A drænstrøm.

Lavt figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Lav effektiv kapacitet (Co(er))

Færre skift og ledningstab

Nominel lavine-energi (UIS)

Relaterede links