Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 4.4 A 850 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, E Nej SiHD5N80AE-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 71,96

(ekskl. moms)

Kr. 89,95

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.140 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 7,196Kr. 71,96
100 - 240Kr. 6,971Kr. 69,71
250 - 490Kr. 6,627Kr. 66,27
500 - 990Kr. 6,328Kr. 63,28
1000 +Kr. 5,969Kr. 59,69

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
228-2852
Producentens varenummer:
SiHD5N80AE-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

4.4A

Drain source spænding maks. Vds

850V

Serie

E

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.35Ω

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

11nC

Effektafsættelse maks. Pd

62.5W

Portkildespænding maks.

30 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Vishay E-serien af effekt-MOSFET reducerede koblings- og ledningstab.

Lavt figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Lav effektiv kapacitet (Co(er))

Relaterede links