Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 4.4 A 850 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, E

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 71,96

(ekskl. moms)

Kr. 89,95

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 1.740 enhed(er) afsendes fra 13. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 7,196Kr. 71,96
100 - 240Kr. 6,971Kr. 69,71
250 - 490Kr. 6,627Kr. 66,27
500 - 990Kr. 6,328Kr. 63,28
1000 +Kr. 5,969Kr. 59,69

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
228-2852
Producentens varenummer:
SiHD5N80AE-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

4.4A

Drain source spænding maks. Vds

850V

Serie

E

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.35Ω

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

11nC

Effektafsættelse maks. Pd

62.5W

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Vishay E-serien af effekt-MOSFET reducerede koblings- og ledningstab.

Lavt figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Lav effektiv kapacitet (Co(er))

Relaterede links