Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 4.4 A 850 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, E
- RS-varenummer:
- 228-2852
- Producentens varenummer:
- SiHD5N80AE-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 69,41
(ekskl. moms)
Kr. 86,76
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 1.740 enhed(er) afsendes fra 23. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 6,941 | Kr. 69,41 |
| 100 - 240 | Kr. 6,732 | Kr. 67,32 |
| 250 - 490 | Kr. 6,388 | Kr. 63,88 |
| 500 - 990 | Kr. 6,104 | Kr. 61,04 |
| 1000 + | Kr. 5,76 | Kr. 57,60 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 228-2852
- Producentens varenummer:
- SiHD5N80AE-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4.4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 850V | |
| Serie | E | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.35Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 11nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 62.5W | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 850V | ||
Serie E | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.35Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 11nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 62.5W | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay seriens E-effekt MOSFET, 850 V maksimal drain-kildespænding, 4,4 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SiHD5N80AE-GE3
Denne effekt-MOSFET er en højspændings N-kanalforbedringsenhed, der er designet til koblings- og strømkonverteringsopgaver i industriel elektronik. Den leveres i en kompakt TO-252-pakke til overflademontering og er velegnet til anvendelser, der kræver robust spændingshåndtering og moderat kontinuerlig strømkapacitet i et lille fodaftryk.
Egenskaber og fordele:
• 850 V drain-tolerance muliggør integration af højspændingssystemer • 4,4 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter moderat belastningsswitching • 1,35 Ω Rds(on) reducerer ledningstab under belastning • 11 nC typisk gate-ladning muliggør effektivt gate-drive-design • 62,5 W effekttab styrer termisk belastning i kompakte layouts • 150 °C maksimal samletemperatur opretholder drift ved høje temperaturer
Anvendelser
• Velegnet til SMPS og konvertere i industrielle styringssystemer • Ideel til flyback- og boosttopologier i strømforsyninger • Anvendes til omskiftning på linjesiden i LED-drivere og lysstyring • Kan bruges til højspændings forreguleringsfaser i batteriladere
Hvilke grænser for portdrev skal overholdes for sikker drift?
Gate-kilde-spændingen må ikke overstige 30 V for at undgå gate-dielektrisk belastning under skifteovergange.
Hvordan påvirker termisk margin valg af printkortlayout?
Med en dissipationsgrad på 62,5 W og høj samlingsevne skal designere levere tilstrækkeligt kobberområde eller termiske kanaler til at fjerne varme fra TO-252-jordmønsteret.
Er denne enhed velegnet til bilsystemer?
Den er ikke specificeret til brug i bilstandarden og bør ikke vælges, hvor bilkvalifikation er obligatorisk.
Hvilke skiftekompromiser opstår fra gate-opladningstallene?
11 nC gate-ladning balancerer skiftehastighed og drevenergi, hvilket kræver gate-drivere, der er dimensioneret til de ønskede stige/fald-tider og skiftefrekvens.
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 4.4 A 850 V Forbedring TO-252, E
- Vishay Type N-Kanal 5 A 850 V Forbedring TO-252, E
- Vishay Type N-Kanal 8 A 850 V Forbedring TO-252, E
- Vishay Type N-Kanal 5 A 850 V Forbedring TO-251, E
- Vishay Type N-Kanal 5 A 850 V Forbedring TO-220, E
- Vishay Type N-Kanal 9 A 850 V Forbedring TO-220, E
- Vishay Type N-Kanal 16.3 A 850 V Forbedring TO-247, E
- Vishay Type N-Kanal 3 A 850 V Forbedring TO-220, E