Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 4.4 A 850 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, E
- RS-varenummer:
- 228-2852
- Producentens varenummer:
- SiHD5N80AE-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 69,41
(ekskl. moms)
Kr. 86,76
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 1.740 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 6,941 | Kr. 69,41 |
| 100 - 240 | Kr. 6,732 | Kr. 67,32 |
| 250 - 490 | Kr. 6,388 | Kr. 63,88 |
| 500 - 990 | Kr. 6,104 | Kr. 61,04 |
| 1000 + | Kr. 5,76 | Kr. 57,60 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 228-2852
- Producentens varenummer:
- SiHD5N80AE-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4.4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 850V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | E | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.35Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 11nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 62.5W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 850V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie E | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.35Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 11nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 62.5W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay E-serien af effekt-MOSFET reducerede koblings- og ledningstab.
Lavt figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Lav effektiv kapacitet (Co(er))
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 4.4 A 850 V Forbedring TO-252, E
- Vishay Type N-Kanal 5 A 850 V Forbedring TO-252, E
- Vishay Type N-Kanal 8 A 850 V Forbedring TO-252, E
- Vishay Type N-Kanal 5 A 850 V Forbedring TO-251, E
- Vishay Type N-Kanal 5 A 850 V Forbedring TO-220, E
- Vishay Type N-Kanal 9 A 850 V Forbedring TO-220, E
- Vishay Type N-Kanal 16.3 A 850 V Forbedring TO-247, E
- Vishay Type N-Kanal 3 A 850 V Forbedring TO-220, E