Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 4.4 A 850 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, E

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 69,41

(ekskl. moms)

Kr. 86,76

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.740 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 6,941Kr. 69,41
100 - 240Kr. 6,732Kr. 67,32
250 - 490Kr. 6,388Kr. 63,88
500 - 990Kr. 6,104Kr. 61,04
1000 +Kr. 5,76Kr. 57,60

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
228-2852
Producentens varenummer:
SiHD5N80AE-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

N

Produkttype

Effekt MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

4.4A

Drain source spænding maks. Vds

850V

Serie

E

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.35Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

11nC

Effektafsættelse maks. Pd

62.5W

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Portkildespænding maks.

30V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Vishay seriens E-effekt MOSFET, 850 V maksimal drain-kildespænding, 4,4 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SiHD5N80AE-GE3


Denne effekt-MOSFET er en højspændings N-kanal-transistor, der er designet til omskiftning og forstærkning i overflademonteret effektelektronik. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er beregnet til anvendelser, der kræver robust blokeringsevne og moderat kontinuerlig strømhåndtering, samtidig med at den optager et TO-252 overflademonteret fodaftryk.

Egenskaber og fordele:


• 850 V drain-source-klassificering, der muliggør højspændingsswitching
• 1.35 Ω Rds(on) understøtter kontrollerede ledningstab
• 4,4 A kontinuerlig afløbsstrøm for stabil belastning
• 62,5 W maksimal tab for termisk ydeevne og høj rummængde
• 11 nC typisk gate-ladning for hurtigere skifteovergange
• 30 V gate-source-grænse, der giver mulighed for standard gate-drive-områder

Anvendelser


• Velegnet til højspændingsstrømforsyninger og konvertere
• Ideel til industrielle motordrev-frontender
• Anvendes til switch-mode strømreguleringstrin
• Kan bruges til telekommunikations- og forsyningslinjeinterfacekredsløb
• Velegnet til kompakte strømmoduler til overflademontering

Hvilket driftstemperaturområde kan jeg forvente for pålidelig drift?


Enheden fungerer fra -55 °C op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i krævende termiske miljøer.

Hvordan skal jeg overveje gate-drivdesign med denne komponent?


Designet til en maksimal Vgs på 30 V og tager højde for den typiske 11 nC gate-ladning ved dimensionering af drivere for at opfylde krav til skiftehastighed og drivstrøm.

Hvilke hensyn til emballage og montering gælder for montering?


Den leveres i en TO-252-pakke, der er beregnet til overflademontering, så jordforbindelsesmønster og termiske ledninger skal planlægges for at håndtere effekttab.

Er dette velegnet til bilcertificerede design?


Det er ikke specificeret, at det opfylder bilstandarder, så det bør evalueres mod eventuelle køretøjsspecifikke krav før brug.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.