Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 5 A 850 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, E Nej

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 150,875

(ekskl. moms)

Kr. 188,60

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 15. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
25 - 25Kr. 6,035Kr. 150,88
50 - 100Kr. 4,826Kr. 120,65
125 - 225Kr. 4,222Kr. 105,55
250 - 600Kr. 3,776Kr. 94,40
625 +Kr. 3,68Kr. 92,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
200-6867
Producentens varenummer:
SIHD6N80AE-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

5A

Drain source spænding maks. Vds

850V

Serie

E

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

950mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Portkildespænding maks.

30 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

22.5nC

Effektafsættelse maks. Pd

62.5W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Vishay SIHD6N80AE-Ge3 er en E-serie power MOSFET.

Lavt antal-af-fortjeneste

Lav effektiv kapacitet (CISS)

Færre skift og ledningstab

Meget lav portopladning (Qg)

Nominel lavine-energi (UIS)

Integreret Zener-diode ESD-beskyttelse

Relaterede links