Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 5 A 850 V Forbedring, 3 Ben, TO-251, E Nej

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 214,75

(ekskl. moms)

Kr. 268,50

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 15. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
25 - 25Kr. 8,59Kr. 214,75
50 - 100Kr. 6,532Kr. 163,30
125 - 225Kr. 6,014Kr. 150,35
250 - 600Kr. 4,721Kr. 118,03
625 +Kr. 4,53Kr. 113,25

*Vejledende pris

RS-varenummer:
200-6869
Producentens varenummer:
SIHU6N80AE-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

5A

Drain source spænding maks. Vds

850V

Emballagetype

TO-251

Serie

E

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

950mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

30 V

Effektafsættelse maks. Pd

62.5W

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

22.5nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Vishay SIHU6N80AE-Ge3 er en E-serie power MOSFET.

Lavt antal-af-fortjeneste

Lav effektiv kapacitet (CISS)

Færre skift og ledningstab

Meget lav portopladning (Qg)

Nominel lavine-energi (UIS)

Integreret Zener-diode ESD-beskyttelse

Relaterede links