Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 16.3 A 850 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, E Nej SIHG21N80AEF-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 61,49

(ekskl. moms)

Kr. 76,862

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 20. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 30,745Kr. 61,49
20 - 98Kr. 26,105Kr. 52,21
100 - 198Kr. 22,815Kr. 45,63
200 - 498Kr. 18,70Kr. 37,40
500 +Kr. 15,07Kr. 30,14

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
228-2868
Producentens varenummer:
SIHG21N80AEF-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

16.3A

Drain source spænding maks. Vds

850V

Emballagetype

TO-247

Serie

E

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

250mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

30 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

47nC

Effektafsættelse maks. Pd

179W

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Vishay E-serien af effekt-MOSFET reducerede koblings- og ledningstab.

Lavt figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Lav effektiv kapacitet (Co(er))

Relaterede links