Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 165.3 A 850 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, E Nej SIHP21N80AEF-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 137,26

(ekskl. moms)

Kr. 171,575

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 375 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 27,452Kr. 137,26
50 - 120Kr. 24,714Kr. 123,57
125 - 245Kr. 23,338Kr. 116,69
250 - 495Kr. 20,046Kr. 100,23
500 +Kr. 17,308Kr. 86,54

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
228-2879
Producentens varenummer:
SIHP21N80AEF-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

165.3A

Drain source spænding maks. Vds

850V

Emballagetype

TO-220

Serie

E

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

250mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

30 V

Effektafsættelse maks. Pd

179W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

47nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Vishay E-serien af effekt-MOSFET reducerede koblings- og ledningstab.

Lavt figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Lav effektiv kapacitet (Co(er))

Relaterede links