Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 165.3 A 850 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, E

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 129,70

(ekskl. moms)

Kr. 162,10

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 375 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 25,94Kr. 129,70
50 - 120Kr. 23,352Kr. 116,76
125 - 245Kr. 22,052Kr. 110,26
250 - 495Kr. 18,94Kr. 94,70
500 +Kr. 16,336Kr. 81,68

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
228-2879
Producentens varenummer:
SIHP21N80AEF-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

165.3A

Drain source spænding maks. Vds

850V

Emballagetype

TO-220

Serie

E

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

250mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

179W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

47nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Vishay E-serien af effekt-MOSFET reducerede koblings- og ledningstab.

Lavt figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Lav effektiv kapacitet (Co(er))

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.