Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 165.3 A 850 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, E
- RS-varenummer:
- 228-2879
- Producentens varenummer:
- SIHP21N80AEF-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 129,70
(ekskl. moms)
Kr. 162,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 375 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 25,94 | Kr. 129,70 |
| 50 - 120 | Kr. 23,352 | Kr. 116,76 |
| 125 - 245 | Kr. 22,052 | Kr. 110,26 |
| 250 - 495 | Kr. 18,94 | Kr. 94,70 |
| 500 + | Kr. 16,336 | Kr. 81,68 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 228-2879
- Producentens varenummer:
- SIHP21N80AEF-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 165.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 850V | |
| Serie | E | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 250mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 179W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 47nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 165.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 850V | ||
Serie E | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 250mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 179W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 47nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay E-serien af effekt-MOSFET reducerede koblings- og ledningstab.
Lavt figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Lav effektiv kapacitet (Co(er))
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 165.3 A 850 V Forbedring TO-220, E
- Vishay Type N-Kanal 5 A 850 V Forbedring TO-220, E
- Vishay Type N-Kanal 9 A 850 V Forbedring TO-220, E
- Vishay Type N-Kanal 3 A 850 V Forbedring TO-220, E
- Vishay Type N-Kanal 15 A 850 V Forbedring TO-220, E
- Vishay Type N-Kanal 5 A 850 V Forbedring TO-252, E
- Vishay Type N-Kanal 5 A 850 V Forbedring TO-251, E
- Vishay Type N-Kanal 4.4 A 850 V Forbedring TO-252, E