Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 165.3 A 850 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, E Nej

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 949,65

(ekskl. moms)

Kr. 1.187,05

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 350 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 - 50Kr. 18,993Kr. 949,65
100 - 200Kr. 15,955Kr. 797,75
250 +Kr. 15,195Kr. 759,75

*Vejledende pris

RS-varenummer:
228-2878
Producentens varenummer:
SIHP21N80AEF-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

165.3A

Drain source spænding maks. Vds

850V

Emballagetype

TO-220

Serie

E

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

250mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

30 V

Effektafsættelse maks. Pd

179W

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

47nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Vishay E-serien af effekt-MOSFET reducerede koblings- og ledningstab.

Lavt figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Lav effektiv kapacitet (Co(er))

Relaterede links