Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 3 A 850 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, E
- RS-varenummer:
- 228-2839
- Producentens varenummer:
- SiHA5N80AE-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 311,90
(ekskl. moms)
Kr. 389,90
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 850 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 6,238 | Kr. 311,90 |
| 100 - 200 | Kr. 5,926 | Kr. 296,30 |
| 250 + | Kr. 5,616 | Kr. 280,80 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 228-2839
- Producentens varenummer:
- SiHA5N80AE-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 850V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | E | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.35Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 29W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 11nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 850V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie E | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.35Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 29W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 11nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay seriens E-effekt MOSFET, 850 V drain-source spænding, 3 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SiHA5N80AE-GE3
Denne effekt-MOSFET er en højspændings N-kanalforbedringsenhed, der er designet til koblings- og strømstyringsroller i industrielle elektroniske systemer. Leveres i en TO-220-pakke med gennemgående hul med tre forbindelser, den er velegnet til anvendelser, der kræver diskret montering og termisk styring. Komponenten fungerer over et bredt temperaturområde og er konstrueret til at opfylde RoHS-standarder.
Egenskaber og fordele:
• 850 V maksimal afløbsspænding muliggør højspændingsswitching
• 3 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter moderate belastningsstrømme
• 1,35 Ω drain-source-modstand reducerer ledningstab
• 29 W effekttab muliggør vedvarende termisk belastning
• 11 nC typisk gate-ladning forbedrer koblingseffektiviteten
• ±30 V gate-source-tolerance beskytter gate-drive-fleksibilitet
• 3 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter moderate belastningsstrømme
• 1,35 Ω drain-source-modstand reducerer ledningstab
• 29 W effekttab muliggør vedvarende termisk belastning
• 11 nC typisk gate-ladning forbedrer koblingseffektiviteten
• ±30 V gate-source-tolerance beskytter gate-drive-fleksibilitet
Anvendelser
• Velegnet til højspændings-switch-mode strømforsyninger
• Ideel til industrielle motordrev-frontender med diskrete komponenter
• Anvendes til belysningsforkobling i højspændingssystemer
• Kan bruges til omskiftning af invertertrin i strømkonvertering
• Ideel til industrielle motordrev-frontender med diskrete komponenter
• Anvendes til belysningsforkobling i højspændingssystemer
• Kan bruges til omskiftning af invertertrin i strømkonvertering
Hvilket temperaturområde kan den tåle under drift?
Den er klassificeret til drift ned til -55 °C og op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i miljøer med bred termisk variation.
Hvordan påvirker valget af pakke varmestyringen?
TO-220-pakken tilbyder en metalflig, der er velegnet til kølelegeme, hvilket giver mulighed for forbedret varmeudtrækning, når den monteres på en ekstern køler.
Hvilke overvejelser om gate-driver er nødvendige for denne enhed?
Porten skal drives inden for ±30 V-grænser og være dimensioneret til at rumme en typisk portladning på 11 nC for at sikre pålidelig skifteydeevne.
Er enheden i overensstemmelse med begrænsninger for miljøstoffer?
Den er i overensstemmelse med RoHS-kravene, hvilket angiver begrænsning af visse farlige stoffer i dens konstruktion.
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 3 A 850 V Forbedring TO-220, E
- Vishay Type N-Kanal 5 A 850 V Forbedring TO-220, E
- Vishay Type N-Kanal 9 A 850 V Forbedring TO-220, E
- Vishay Type N-Kanal 165.3 A 850 V Forbedring TO-220, E
- Vishay Type N-Kanal 15 A 850 V Forbedring TO-220, E
- Vishay Type N-Kanal 5 A 850 V Forbedring TO-252, E
- Vishay Type N-Kanal 5 A 850 V Forbedring TO-251, E
- Vishay Type N-Kanal 4.4 A 850 V Forbedring TO-252, E