Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 3 A 850 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, E
- RS-varenummer:
- 228-2839
- Producentens varenummer:
- SiHA5N80AE-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (50 enheder, i en tube med 50)*
Kr. 311,90
(ekskl. moms)
Kr. 389,90
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 850 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 6,238 | Kr. 311,90 |
| 100 - 200 | Kr. 5,926 | Kr. 296,30 |
| 250 + | Kr. 5,616 | Kr. 280,80 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 228-2839
- Producentens varenummer:
- SiHA5N80AE-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 850V | |
| Serie | E | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.35Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 29W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 11nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 850V | ||
Serie E | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.35Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 29W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 11nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay serie E Power MOSFET, 850 V drain source-spænding, 3 A kontinuerlig drain-strøm - SiHA5N80AE-GE3
Denne effekt-MOSFET er en højspændings N-kanal-transistor, der er designet til koblings- og forstærkningsopgaver i krævende elektroniske systemer. Den fungerer over et bredt termisk område og leveres i en TO-220-pakke med gennemgående hul til nem montering på kort, hvilket gør den velegnet til industrielle enheder, hvor robust spændingshåndtering og tilgængelig montering er påkrævet.
Egenskaber og fordele:
• 850 V drain-klassificering muliggør højspændingskoblingsanvendelser
• 3 A kontinuerlig strøm understøtter moderate belastningsstrømme
• 29 W effekttab muliggør vedvarende termisk belastning
• 1.35 Ω Rds(on) giver forudsigelige ledningstab
• 11 nC typisk portladning sikrer håndterbare krav til portdrev
• 30 V maksimal gate-spænding muliggør almindelige gate-drivspændinger
• 3 A kontinuerlig strøm understøtter moderate belastningsstrømme
• 29 W effekttab muliggør vedvarende termisk belastning
• 1.35 Ω Rds(on) giver forudsigelige ledningstab
• 11 nC typisk portladning sikrer håndterbare krav til portdrev
• 30 V maksimal gate-spænding muliggør almindelige gate-drivspændinger
Anvendelser
• Velegnet til højspændingstrin for strømkonvertering
• Ideel til industrielle motor-drevfrontender
• Anvendes sammen med snubberede koblingsforsyninger og invertere
• Kan bruges til højspændings laboratorieudstyr
• Velegnet til implementering af diskrete kontakter i strømstyring
• Ideel til industrielle motor-drevfrontender
• Anvendes sammen med snubberede koblingsforsyninger og invertere
• Kan bruges til højspændings laboratorieudstyr
• Velegnet til implementering af diskrete kontakter i strømstyring
Hvilke ekstreme temperaturer kan den modstå under drift?
Den er specificeret til at fungere fra -55 °C op til 150 °C, hvilket dækker et bredt industrielt driftsområde.
Hvordan monteres og integreres den i ældre design?
Komponenten leveres i et TO-220-format med gennemgående hul, hvilket letter lodde- eller skruemonterede kølelegemer og nem udskiftning på konventionelle kort.
Hvilke hensyn til gate-drev skal overholdes?
Sørg for, at gate-drivningsamplituden ikke overstiger 30 V og giver tilstrækkelig drevstyrke til den typiske 11 nC gate-ladning for at opnå de ønskede skiftehastigheder.
Er den velegnet til bilcertificerede projekter?
Den leveres ikke med godkendelse til bilstandarder og bør ikke antages at være i overensstemmelse med køretøjsspecifikke kvalifikationskrav.
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 3 A 850 V Forbedring TO-220, E
- Vishay N-Kanal 9 A 850 V Forbedring TO-220, E
- Vishay N-Kanal 4.4 A 850 V Forbedring TO-252, E
- Vishay N-Kanal 8 A 850 V Forbedring TO-252, E
- Vishay N-Kanal 5 A 850 V Forbedring TO-220, E
- Vishay N-Kanal 15 A 850 V Forbedring TO-220, E
- Vishay N-Kanal 165.3 A 850 V Forbedring TO-220, E
- Vishay N-Kanal 12 A 600 V Forbedring TO-220, E