Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 3 A 850 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, E

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 65,08

(ekskl. moms)

Kr. 81,35

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 850 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 13,016Kr. 65,08
50 - 245Kr. 12,356Kr. 61,78
250 - 495Kr. 11,684Kr. 58,42
500 - 1245Kr. 11,056Kr. 55,28
1250 +Kr. 8,438Kr. 42,19

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
228-2840
Producentens varenummer:
SiHA5N80AE-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

Effekt MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

3A

Drain source spænding maks. Vds

850V

Serie

E

Emballagetype

TO-220

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.35Ω

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

11nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Portkildespænding maks.

30V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

29W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Vishay serie E Power MOSFET, 850 V drain source-spænding, 3 A kontinuerlig drain-strøm - SiHA5N80AE-GE3


Denne effekt-MOSFET er en højspændings N-kanal-transistor, der er designet til koblings- og forstærkningsopgaver i krævende elektroniske systemer. Den fungerer over et bredt termisk område og leveres i en TO-220-pakke med gennemgående hul til nem montering på kort, hvilket gør den velegnet til industrielle enheder, hvor robust spændingshåndtering og tilgængelig montering er påkrævet.

Egenskaber og fordele:


• 850 V drain-klassificering muliggør højspændingskoblingsanvendelser
• 3 A kontinuerlig strøm understøtter moderate belastningsstrømme
• 29 W effekttab muliggør vedvarende termisk belastning
• 1.35 Ω Rds(on) giver forudsigelige ledningstab
• 11 nC typisk portladning sikrer håndterbare krav til portdrev
• 30 V maksimal gate-spænding muliggør almindelige gate-drivspændinger

Anvendelser


• Velegnet til højspændingstrin for strømkonvertering
• Ideel til industrielle motor-drevfrontender
• Anvendes sammen med snubberede koblingsforsyninger og invertere
• Kan bruges til højspændings laboratorieudstyr
• Velegnet til implementering af diskrete kontakter i strømstyring

Hvilke ekstreme temperaturer kan den modstå under drift?


Den er specificeret til at fungere fra -55 °C op til 150 °C, hvilket dækker et bredt industrielt driftsområde.

Hvordan monteres og integreres den i ældre design?


Komponenten leveres i et TO-220-format med gennemgående hul, hvilket letter lodde- eller skruemonterede kølelegemer og nem udskiftning på konventionelle kort.

Hvilke hensyn til gate-drev skal overholdes?


Sørg for, at gate-drivningsamplituden ikke overstiger 30 V og giver tilstrækkelig drevstyrke til den typiske 11 nC gate-ladning for at opnå de ønskede skiftehastigheder.

Er den velegnet til bilcertificerede projekter?


Den leveres ikke med godkendelse til bilstandarder og bør ikke antages at være i overensstemmelse med køretøjsspecifikke kvalifikationskrav.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.