Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 8 A 850 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, E Nej SIHD11N80AE-T1-GE3

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 67,10

(ekskl. moms)

Kr. 83,90

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.995 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 +Kr. 13,42Kr. 67,10

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
228-2849
Producentens varenummer:
SIHD11N80AE-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

8A

Drain source spænding maks. Vds

850V

Serie

E

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

450mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

30 V

Effektafsættelse maks. Pd

78W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

28nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Vishay E-serien af effekt-MOSFET reducerede koblings- og ledningstab.

Lavt figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Lav effektiv kapacitet (Co(er))

Relaterede links