Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 8 A 850 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, E

RS-varenummer:: 228-2848
Producentens varenummer:: SIHD11N80AE-T1-GE3
Brand:: Vishay

Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 8 A 850 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, E

Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*

Kr. 10.278,00

(ekskl. moms)

Kr. 12.848,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 01. januar 2027

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
2000 +	Kr. 5,139	Kr. 10.278,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 228-2848
Producentens varenummer:: SIHD11N80AE-T1-GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Produkttype	Effekt MOSFET
	Kanaltype	Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	8A
	Drain source spænding maks. Vds	850V
	Emballagetype	TO-252
	Serie	E
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	450mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	28nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Portkildespænding maks.	30V
	Effektafsættelse maks. Pd	78W
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Produkttype Effekt MOSFET
	Kanaltype Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8A
	Drain source spænding maks. Vds 850V
	Emballagetype TO-252
	Serie E
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 450mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 28nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Portkildespænding maks. 30V
	Effektafsættelse maks. Pd 78W
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Standarder/godkendelser RoHS
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - SIHD11N80AE-T1-GE3

Vishay seriens E-effekt MOSFET, 850 V maksimal drain-kildespænding, 8 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SIHD11N80AE-T1-GE3

Denne effekt-MOSFET er en højspændings N-kanals koblingstransistor, der er beregnet til overflademonterede anvendelser i industrielle strømkonstruktioner. Den fungerer som en enhed med forstærkning og er velegnet til kredsløb, der kræver høj drain-til-kilde-spændingskapacitet og moderat kontinuerlig strømhåndtering i miljøer med forhøjet temperatur.

Egenskaber og fordele:

• 850 V maksimal drain-til-kilde-spænding muliggør højspændingskoblingsanvendelser • 8 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter moderate krav til belastningskørsel • 450 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab i højspændingskredsløb • 78 W maks. effekttab giver mulighed for højere termisk rum • 30 V porttolerance giver robuste portdrevmargener • 28 nC typisk gate-opladning hjælper med forudsigelig omskiftning

Anvendelser

• Velegnet til højspændingsstrømforsyninger og konvertere • Ideel til industrielle motordrev-frontender • Anvendes til elektroniske ballast- og belysningsstyringer • Kan bruges til energistyrings- og strømkonditioneringsmoduler • Velegnet til midtstrømsinvertertrin i automatiseringssystemer

Hvilket monteringsformat bruger den til printkortmontering?

Den leveres i en TO-252-pakke til overflademontering med tre ben til printlodning.

Hvilket temperaturområde kan den tåle under drift?

Den er specificeret til drift fra -55 °C op til maks. 150 °C.

Hvordan påvirker dens portkarakteristik koblingsdesign?

Den typiske portladning på 28 nC ved det nominelle portdrev informerer om skøn over drivstrøm og koblingstab for valg af portdrev.

Hvad er den maksimale kontinuerlige effekt, enheden kan sprede?

Enheden kan sprede op til 78 W under passende termiske styringsforhold.