Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 5 A 850 V Forbedring, 3 Ben, TO-251, E Nej SIHU6N80AE-GE3
- RS-varenummer:
- 200-6868
- Producentens varenummer:
- SIHU6N80AE-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 13.506,00
(ekskl. moms)
Kr. 16.884,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 15. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 4,502 | Kr. 13.506,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 200-6868
- Producentens varenummer:
- SIHU6N80AE-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 850V | |
| Emballagetype | TO-251 | |
| Serie | E | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 950mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 22.5nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 62.5W | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 850V | ||
Emballagetype TO-251 | ||
Serie E | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 950mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 22.5nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 62.5W | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay SIHU6N80AE-Ge3 er en E-serie power MOSFET.
Lavt antal-af-fortjeneste
Lav effektiv kapacitet (CISS)
Færre skift og ledningstab
Meget lav portopladning (Qg)
Nominel lavine-energi (UIS)
Integreret Zener-diode ESD-beskyttelse
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 3 5 A. 850 V IPAK (TO-251), E SIHU6N80AE-GE3
- Vishay N-Kanal 2 3 ben E SIHU2N80AE-GE3
- Vishay N-Kanal 3 5 A. 850 V DPAK (TO-252), E SIHD6N80AE-GE3
- Vishay N-Kanal 5 IPAK (TO-251) SIHU5N50D-GE3
- Vishay N-Kanal 4 3 ben, IPAK (TO-251) SIHU4N80AE-GE3
- Vishay N-Kanal 4 3 ben SiHU5N80AE SIHU5N80AE-GE3
- Vishay N-Kanal 7 IPAK (TO-251) IRFU014PBF
- Vishay P-Kanal 3 IPAK (TO-251) IRFU9110PBF