Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 4.4 A 800 V Forbedring, 3 Ben, IPAK, SiHU5N80AE Nej SIHU5N80AE-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 37,40

(ekskl. moms)

Kr. 46,80

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 20 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 3,74Kr. 37,40
100 - 240Kr. 3,598Kr. 35,98
250 - 490Kr. 3,508Kr. 35,08
500 - 990Kr. 3,418Kr. 34,18
1000 +Kr. 3,329Kr. 33,29

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
204-7229
Producentens varenummer:
SIHU5N80AE-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

4.4A

Drain source spænding maks. Vds

800V

Emballagetype

IPAK

Serie

SiHU5N80AE

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.35Ω

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Effektafsættelse maks. Pd

62.5W

Portkildespænding maks.

30 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

16.5nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

2.39 mm

Længde

6.73mm

Højde

6.22mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Vishay E seriens Power MOSFET har en lav figure-of-Merit (FOM) Ron x QG og en lav indgangskapacitet (CISS).

Meget lav portopladning (Qg)

Nominel lavine-energi (UIS)

Relaterede links