Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 4.4 A 800 V Forbedring, 3 Ben, IPAK, SiHU5N80AE
- RS-varenummer:
- 204-7229
- Producentens varenummer:
- SIHU5N80AE-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 74,13
(ekskl. moms)
Kr. 92,66
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 20 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 7,413 | Kr. 74,13 |
| 100 - 240 | Kr. 6,545 | Kr. 65,45 |
| 250 - 490 | Kr. 6,373 | Kr. 63,73 |
| 500 - 990 | Kr. 6,201 | Kr. 62,01 |
| 1000 + | Kr. 6,044 | Kr. 60,44 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 204-7229
- Producentens varenummer:
- SIHU5N80AE-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4.4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Emballagetype | IPAK | |
| Serie | SiHU5N80AE | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.35Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 62.5W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 16.5nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 6.22mm | |
| Længde | 6.73mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Emballagetype IPAK | ||
Serie SiHU5N80AE | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.35Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 62.5W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 16.5nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 6.22mm | ||
Længde 6.73mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay E seriens Power MOSFET har en lav figure-of-Merit (FOM) Ron x QG og en lav indgangskapacitet (CISS).
Meget lav portopladning (Qg)
Nominel lavine-energi (UIS)
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 4.4 A 800 V Forbedring IPAK, SiHU5N80AE
- Vishay Type N-Kanal 4.1 A 800 V Forbedring IPAK, SiHU4N80AE
- Vishay Type N-Kanal 2.9 A 800 V Forbedring IPAK, E
- Infineon Type N-Kanal 6 A 800 V Forbedring IPAK, CoolMOS P7
- STMicroelectronics Type N-Kanal 2.5 A 800 V Forbedring IPAK SuperMESH
- Vishay Type N-Kanal 4.4 A 800 V TO-220, E
- Vishay Type N-Kanal 4.4 A 850 V Forbedring TO-252, E
- STMicroelectronics Type N-Kanal 5 A 650 V Forbedring IPAK