Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 4.1 A 800 V Forbedring, 3 Ben, IPAK, SiHU4N80AE
- RS-varenummer:
- 188-4943
- Producentens varenummer:
- SIHU4N80AE-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 70,01
(ekskl. moms)
Kr. 87,51
(inkl. moms)
Tilføj 40 enheder for at opnå gratis levering
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 01. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 14,002 | Kr. 70,01 |
| 50 - 120 | Kr. 12,73 | Kr. 63,65 |
| 125 - 245 | Kr. 12,028 | Kr. 60,14 |
| 250 - 495 | Kr. 11,46 | Kr. 57,30 |
| 500 + | Kr. 11,206 | Kr. 56,03 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 188-4943
- Producentens varenummer:
- SIHU4N80AE-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4.1A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Emballagetype | IPAK | |
| Serie | SiHU4N80AE | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.44Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 11nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 62.5W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 6.73mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 2.38 mm | |
| Højde | 6.22mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.1A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Emballagetype IPAK | ||
Serie SiHU4N80AE | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.44Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 11nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 62.5W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 6.73mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 2.38 mm | ||
Højde 6.22mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Power MOSFET i E-serien
Lavt figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Lav effektiv kapacitet (lav kapacitet)
Færre skift og ledningstab
ANVENDELSER
Strømforsyninger til server og telekom
Switch-mode strømforsyning (SMPS)
Effektfaktorkorrektion-strømforsyninger (PFC)
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 4.1 A 800 V Forbedring IPAK, SiHU4N80AE
- Vishay Type N-Kanal 2.9 A 800 V Forbedring IPAK, E
- Vishay Type N-Kanal 4.4 A 800 V Forbedring IPAK, SiHU5N80AE
- Vishay Type N-Kanal 4.1 A 800 V Forbedring TO-220, IRFBE
- STMicroelectronics Type N-Kanal 2.5 A 800 V Forbedring IPAK
- Vishay Type N-Kanal Dobbelt 4.1 A 150 V Forbedring PowerPack, SI7956DP
- Vishay Type N-Kanal 5.3 A 500 V, IPAK
- Infineon Type N-Kanal 6 A 800 V Forbedring IPAK, CoolMOS P7