Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 5.3 A 500 V, IPAK Nej SIHU5N50D-GE3
- RS-varenummer:
- 256-7417
- Producentens varenummer:
- SIHU5N50D-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 61,78
(ekskl. moms)
Kr. 77,22
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 3.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | Kr. 6,178 | Kr. 61,78 |
| 20 - 40 | Kr. 6,051 | Kr. 60,51 |
| 50 - 90 | Kr. 5,932 | Kr. 59,32 |
| 100 - 490 | Kr. 4,802 | Kr. 48,02 |
| 500 + | Kr. 3,987 | Kr. 39,87 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 256-7417
- Producentens varenummer:
- SIHU5N50D-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 500V | |
| Emballagetype | IPAK | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.033Ω | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 500V | ||
Emballagetype IPAK | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.033Ω | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay Semiconductor N-kanal 500 V 5,3 A (Tc) 104 W (Tc) hulmontering TO-251AA og dens anvendelser er forbrugerelektronikdisplays, server- og telekommunikationsstrømforsyninger, SMPS og i industrien er svejsning, induktionsopvarmning, motordrev og batteriladere.
Lav områdespecifik modstand ved tændt
Reducerede kapacitive skiftetab
Høj diodestyrke i huset
Optimal effektivitet og drift
Enkelt gate-drevkredsløb
Hurtig omskiftning
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 5 IPAK (TO-251) SIHU5N50D-GE3
- Vishay N-Kanal 4 3 ben, IPAK (TO-251) SIHU4N80AE-GE3
- Vishay N-Kanal 4 3 ben SiHU5N80AE SIHU5N80AE-GE3
- Vishay N-Kanal 2 3 ben E SIHU2N80AE-GE3
- Vishay N-Kanal 2 3 ben, IPAK (TO-251) IRFU420PBF
- Vishay N-Kanal 3 5 A. 850 V IPAK (TO-251), E SIHU6N80AE-GE3
- Vishay N-Kanal 7 IPAK (TO-251) IRFU014PBF
- Vishay N-Kanal 14 A 60 V, IPAK (TO-251) IRFU024PBF
