Vishay N-Kanal, MOSFET, 2.9 A 800 V Forbedring, 3 Ben, IPAK, E
- RS-varenummer:
- 210-4997
- Producentens varenummer:
- SIHU2N80AE-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (10 enheder, i en pakke med 10)*
Kr. 21,78
(ekskl. moms)
Kr. 27,22
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 2.700 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 + | Kr. 2,178 | Kr. 21,78 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 210-4997
- Producentens varenummer:
- SIHU2N80AE-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2.9A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Emballagetype | IPAK | |
| Serie | E | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.5Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 10.5nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 62.5W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 6.22mm | |
| Højde | 2.18mm | |
| Længde | 6.73mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.9A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Emballagetype IPAK | ||
Serie E | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.5Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 10.5nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 62.5W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 6.22mm | ||
Højde 2.18mm | ||
Længde 6.73mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay E seriens Power MOSFET har IPAK (TO-251) hustype.
Lavt figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Lav effektiv kapacitet (CISS)
Færre skift og ledningstab
Meget lav portopladning (Qg)
Nominel lavine-energi (UIS)
Integreret Zener-diode ESD-beskyttelse
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 2.9 A 800 V Forbedring IPAK, E
- Vishay N-Kanal 4.4 A 800 V Forbedring IPAK, E
- Vishay N-Kanal 2.9 A 800 V Forbedring TO-252, E
- Vishay N-Kanal 4.1 A 800 V Forbedring IPAK, SiHU4N80AE
- Infineon N-Kanal 6 A 800 V Forbedring IPAK, CoolMOS P7
- Vishay N-Kanal 21 A 800 V Forbedring TO-263, E
- Vishay N-Kanal 7 A 800 V Forbedring TO-220, E
- Vishay N-Kanal 6 A 800 V Forbedring TO-220, E