Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 4.1 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, IRFBE Nej

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 471,25

(ekskl. moms)

Kr. 589,05

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.500 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 - 50Kr. 9,425Kr. 471,25
100 - 200Kr. 8,201Kr. 410,05
250 +Kr. 6,974Kr. 348,70

*Vejledende pris

RS-varenummer:
178-0818
Producentens varenummer:
IRFBE30PBF
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

4.1A

Drain source spænding maks. Vds

800V

Serie

IRFBE

Emballagetype

TO-220

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

3Ω

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

78nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

125W

Gennemgangsspænding Vf

1.8V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

9.01mm

Længde

10.41mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

4.7 mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal MOSFET, 600 V til 1000 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links