Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 4.1 A 800 V Forbedring, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, IRFBE30

Se alle MOSFET
Få rabat ved storkøb

Tilføj 100 flere for at gemme Kr. 163,30

Se mængderabatter

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 628,30

(ekskl. moms)

Kr. 785,40

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.250 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr rør*
Besparelse
50 - 50Kr. 12,566Kr. 628,30-
100 - 200Kr. 10,933Kr. 546,65Kr. 163,30
250 +Kr. 9,299Kr. 464,95Kr. 816,75

*Vejledende pris

RS-varenummer:
178-0818
Producentens varenummer:
IRFBE30PBF
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

N

Produkttype

Effekt MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

4.1A

Drain source spænding maks. Vds

800V

Serie

IRFBE30

Emballagetype

JEDEC TO-220AB

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

3Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

78nC

Effektafsættelse maks. Pd

125W

Gennemgangsspænding Vf

1.8V

Portkildespænding maks.

-20V, +20V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Højde

9.01mm

Længde

10.41mm

Bredde

4.7mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay IRFBE30 seriens effekt-MOSFET, 800 V drain-source spænding, 4,1 A kontinuerlig drain-strøm - IRFBE30PBF


Denne effekt-MOSFET er en højspændings N-kanal-transistor, der er designet til koblings- og forstærkningsopgaver i krævende elektroniske systemer. Den fungerer over et bredt temperaturområde og leveres i en TO-220AB-pakke med gennemgående hul med tre ben, hvilket gør den velegnet til brugbare strømkonstruktioner, hvor termisk håndtering og nem montering er prioritet.

Egenskaber og fordele:


• 800 V drain-source-klassificering muliggør højspændingsswitching
• 4,1 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter moderate belastningsstrømme
• 125 W effekttab muliggør betydelig varmehåndtering
• 3 Ω maksimal Rds(on) forenkler krav til drev ved lave skiftehastigheder
• 78 nC typisk gate-opladning reducerer gate-driverens energibehov
• 20 V gate-source-grænse beskytter gate under normale styrespændinger

Anvendelser


• Velegnet til højspændingsstrømforsyninger og konvertere
• Ideel til switch-mode-strøm instrumentering
• Anvendes sammen med diskrete lineære regulatorer, der kræver høje Vds
• Kan bruges til industriel motorstyring ved moderate strømstyrker
• Velegnet til prototyper med gennemgående huller og reparationsarbejde

Hvilke ekstreme temperaturer kan den modstå i drift?


Den er specificeret til drift fra -55 °C op til 150 °C, hvilket understøtter anvendelser, der er udsat for brede omgivelsesvariationer.

Hvordan monteres og tilsluttes komponenten på et kredsløb?


Den bruger et TO-220AB-hus med gennemgående hul med tre ben til nem PCB-montering og konventionel varmeafledende fastgørelse.

Hvilke hensyn til gate-driver skal overholdes?


Hold gate-drive-amplituden inden for maks. 20 V for at undgå at overskride gate-source-mærkespændingen, og design drivkredsløb til at forsyne gate-ladning omkring 78 nC for effektiv omskiftning.

Hvilken type ledningstilstand anvender den?


Det er en N-kanal-enhed med forstærkning, der kræver en positiv gate-spænding i forhold til kilden til ledning.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.