Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 3.6 A 900 V Forbedring, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, IRFBE Nej IRFBF30PBF
- RS-varenummer:
- 542-9557
- Producentens varenummer:
- IRFBF30PBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 22,37
(ekskl. moms)
Kr. 27,96
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 1 enhed(er) klar til afsendelse
- Plus 1 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 33 enhed(er) afsendes fra 26. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 22,37 |
| 10 - 49 | Kr. 21,69 |
| 50 - 99 | Kr. 20,94 |
| 100 - 249 | Kr. 19,67 |
| 250 + | Kr. 18,48 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 542-9557
- Producentens varenummer:
- IRFBF30PBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3.6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 900V | |
| Emballagetype | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | IRFBE | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.7Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 78nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 4.7 mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS 2002/95/EC | |
| Længde | 10.41mm | |
| Højde | 9.01mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 900V | ||
Emballagetype JEDEC TO-220AB | ||
Serie IRFBE | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.7Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 78nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 4.7 mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS 2002/95/EC | ||
Længde 10.41mm | ||
Højde 9.01mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MOSFET, 600 V til 1000 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 3.6 A 900 V Forbedring JEDEC TO-220AB, IRFBE Nej
- Vishay Type N-Kanal 1.7 A 900 V Forbedring JEDEC TO-220AB, IRFBE Nej
- Vishay Type N-Kanal 1.7 A 900 V Forbedring JEDEC TO-220AB, IRFBE Nej IRFBF20PBF
- Vishay Type N-Kanal 8.7 A 500 V Forbedring JEDEC TO-220AB Nej
- Vishay Type N-Kanal 6 A 400 V Forbedring JEDEC TO-220AB Nej
- onsemi Type N-Kanal 79 A 150 V Forbedring JEDEC TO-220AB, PowerTrench Nej
- Vishay Type N-Kanal 5.2 A 200 V Forbedring JEDEC TO-220AB, IRF620 Nej
- Vishay Type P-Kanal 6.7 A 60 V Forbedring JEDEC TO-220AB, RF9Z10 Nej
