Infineon Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 202 A 40 V Forbedring, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, HEXFET
- RS-varenummer:
- 543-1083
- Elfa Distrelec varenummer:
- 302-84-006
- Producentens varenummer:
- IRF1404PBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 18,03
(ekskl. moms)
Kr. 22,54
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 14 enhed(er) klar til afsendelse
- Plus 94 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 213 enhed(er) afsendes fra 12. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 18,03 |
| 10 - 49 | Kr. 14,81 |
| 50 - 99 | Kr. 14,06 |
| 100 - 249 | Kr. 13,31 |
| 250 + | Kr. 12,94 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 543-1083
- Elfa Distrelec varenummer:
- 302-84-006
- Producentens varenummer:
- IRF1404PBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 202A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | JEDEC TO-220AB | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.004Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 131nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 333W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10.67mm | |
| Højde | 8.77mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 202A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype JEDEC TO-220AB | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.004Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 131nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 333W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10.67mm | ||
Højde 8.77mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 202A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 333W maksimal effektafledning - IRF1404PBF
Denne power-MOSFET er designet til høj effektivitet og pålidelighed på tværs af forskellige applikationer, hvilket gør den vigtig for fagfolk inden for automatisering, elektronik og elektroteknik. De avancerede forarbejdningsteknikker, der anvendes, sikrer minimal on-resistance og et bredt driftstemperaturområde, hvilket udvider anvendelsesmulighederne.
Egenskaber og fordele
• Kontinuerlig afløbsstrøm på 202A understøtter robust ydeevne
• Lav Rds(on) på 4mΩ forbedrer energieffektiviteten
• Hurtige skiftefunktioner forbedrer den samlede ydeevne
• Kan arbejde ved høje temperaturer på op til 175 °C
• Anvender Si MOSFET-teknologi til effektiv varmestyring
• Leveres i en TO-220AB-pakke til enkel montering
Anvendelsesområder
• Anvendes i industrielle automatiseringssystemer til effektiv strømafbrydelse
• Velegnet til motorstyringer og drev med høj strømstyrke
• Ideel til strømforsyning prioritering af effektivitet
• Anvendes i vedvarende energisystemer til effektiv strømstyring
Hvilken type spænding kan håndteres?
Enheden kan understøtte spændingsniveauer på op til 40 V mellem drain og source, hvilket giver alsidighed til forskellige spændingsreguleringsapplikationer.
Hvordan påvirker den lave on-resistance systemets effektivitet?
Den lave Rds(on) reducerer strømtabet betydeligt under drift, hvilket fører til forbedret systemeffektivitet ved at minimere energispild.
Hvilke temperaturer kan den tåle under drift?
Den er designet til at fungere effektivt inden for et temperaturområde på -55 °C til +175 °C, hvilket gør den velegnet til udfordrende miljøer.
Kan den håndtere pulserende afløbsstrømme?
Ja, den kan rumme pulserende afløbsstrømme på op til 808A, hvilket giver fleksibilitet til forskellige anvendelsesbehov.
Hvad er betydningen af TO-220AB-pakken?
TO-220AB-pakken giver effektiv varmeafledning og praktisk montering og er velegnet til både kommerciel og industriel brug.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 202 A 40 V Forbedring JEDEC TO-220AB, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 48 A 60 V Forbedring JEDEC TO-220AB, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 51 A 55 V Forbedring JEDEC TO-220AB, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 87 A 100 V Forbedring JEDEC TO-220AB, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 270 A 60 V Forbedring JEDEC TO-220AB, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 92 A 30 V Forbedring JEDEC TO-220AB, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 53 A 55 V Forbedring JEDEC TO-220AB, HEXFET
- Infineon 1 Type N-Kanal Enkelt 3 Ben HEXFET AEC-Q101