Infineon N-Kanal, MOSFET, 48 A 60 V, 3 ben, TO-220AB, HEXFET IRFZ44EPBF

RS-varenummer:: 541-1809
Producentens varenummer:: IRFZ44EPBF
Brand:: Infineon

55 På lager for afsendelse samme dag

Tilføjet

Pris (Leveres Pr. stk.)

kr 12,75

(ekskl. moms)

kr 15,94

(inkl. moms)

Enheder	Pr stk.
1 - 9	kr 12,75
10 - 24	kr 10,63
25 - 49	kr 10,17
50 - 99	kr 9,79
100 +	kr 9,11

RS-varenummer:: 541-1809
Producentens varenummer:: IRFZ44EPBF
Brand:: Infineon

Tekniske referencer

Build or Request PCB Symbol & Footprint

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

N-kanal Power MOSFET fra 60 V til 80 V, Infineon

Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder til overflademontering og leadet pakker. Formfaktorerne kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.

MOSFET-transistorer, Infineon

Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Egenskaber

Attribute	Value
Kanaltype	N
Drain-strøm kontinuerlig maks.	48 A
Drain source spænding maks.	60 V
Kapslingstype	TO-220AB
Monteringstype	Hulmontering
Benantal	3
Drain source modstand maks.	23 mΩ
Kanalform	Enhancement
Maks. tærskelspænding for port	4V
Mindste tærskelspænding for port	2V
Effektafsættelse maks.	110 W
Transistorkonfiguration	Enkelt
Gate source spænding maks.	-20 V, +20 V
Transistormateriale	Si
Antal elementer per chip	1
Gate-ladning ved Vgs typisk	60 nC ved 10 V
Driftstemperatur maks.	+175 °C
Serie	HEXFET
Højde	8.77mm
Driftstemperatur min.	-55 °C