Seneste søgninger

    Infineon N-Kanal, MOSFET, 48 A 60 V, 3 ben, TO-220AB, HEXFET IRFZ44EPBF

    RS-varenummer:
    919-4937
    Producentens varenummer:
    IRFZ44EPBF
    Brand:
    Infineon
    Infineon
    Se alle MOSFET
    Udgået fra lager - restordre leveres når lager er tilgængeligt
    Add to Basket
    Enheder

    Desværre har vi ikke dette produkt på lager.

    Restordre ikke mulig på grund af manglende allokering. Den evt. angivne systemtekniske leveringstid er ikke gyldig.

    Tilføjet

    Pris Pr. stk. (i rør á 50)

    kr 11,365

    (ekskl. moms)

    kr 14,206

    (inkl. moms)

    EnhederPr stk.Per Tube*
    50 - 200kr 11,365kr 568,25
    250 - 950kr 8,82kr 441,00
    1000 - 2450kr 6,559kr 327,95
    2500 +kr 6,40kr 320,00
    RS-varenummer:
    919-4937
    Producentens varenummer:
    IRFZ44EPBF
    Brand:
    Infineon
    COO (Country of Origin):
    CN

    Lovgivning og oprindelsesland

    COO (Country of Origin):
    CN

    Generel produktinformation

    N-kanal Power MOSFET fra 60 V til 80 V, Infineon


    Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder til overflademontering og leadet pakker. Formfaktorerne kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.


    MOSFET-transistorer, Infineon


    Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

    Egenskaber

    AttributeValue
    KanaltypeN
    Drain-strøm kontinuerlig maks.48 A
    Drain source spænding maks.60 V
    KapslingstypeTO-220AB
    MonteringstypeHulmontering
    Benantal3
    Drain source modstand maks.23 mΩ
    KanalformEnhancement
    Maks. tærskelspænding for port4V
    Mindste tærskelspænding for port2V
    Effektafsættelse maks.110 W
    TransistorkonfigurationEnkelt
    Gate source spænding maks.-20 V, +20 V
    TransistormaterialeSi
    Antal elementer per chip1
    Gate-ladning ved Vgs typisk60 nC ved 10 V
    Driftstemperatur maks.+175 °C
    Højde8.77mm
    SerieHEXFET
    Driftstemperatur min.-55 °C
    Udgået fra lager - restordre leveres når lager er tilgængeligt
    Add to Basket
    Enheder

    Desværre har vi ikke dette produkt på lager.

    Restordre ikke mulig på grund af manglende allokering. Den evt. angivne systemtekniske leveringstid er ikke gyldig.

    Tilføjet

    Pris Pr. stk. (i rør á 50)

    kr 11,365

    (ekskl. moms)

    kr 14,206

    (inkl. moms)

    EnhederPr stk.Per Tube*
    50 - 200kr 11,365kr 568,25
    250 - 950kr 8,82kr 441,00
    1000 - 2450kr 6,559kr 327,95
    2500 +kr 6,40kr 320,00