Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 92 A 30 V Forbedring, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, HEXFET
- RS-varenummer:
- 725-9329
- Producentens varenummer:
- IRLB8748PBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 45,33
(ekskl. moms)
Kr. 56,66
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- 5 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Sidste 840 enhed(er) afsendes fra 27. februar 2026
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 9,066 | Kr. 45,33 |
| 25 - 45 | Kr. 8,602 | Kr. 43,01 |
| 50 - 120 | Kr. 7,75 | Kr. 38,75 |
| 125 - 245 | Kr. 6,972 | Kr. 34,86 |
| 250 + | Kr. 6,628 | Kr. 33,14 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 725-9329
- Producentens varenummer:
- IRLB8748PBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 92A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | JEDEC TO-220AB | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 370W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 15nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.67mm | |
| Højde | 9.02mm | |
| Bredde | 4.83 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 92A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype JEDEC TO-220AB | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 370W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 15nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.67mm | ||
Højde 9.02mm | ||
Bredde 4.83 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal Power MOSFET 30 V, Infineon
Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder til overflademontering og leadet pakker. Formfaktorerne kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 53 A 55 V Forbedring JEDEC TO-220AB, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 18 A 55 V Forbedring JEDEC TO-220AB, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 180 A 100 V Forbedring JEDEC TO-220AB, HEXFET
- Infineon 1 Type N-Kanal Enkelt 3 Ben HEXFET AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 87 A 100 V Forbedring JEDEC TO-220AB, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 73 A 100 V Forbedring JEDEC TO-220AB, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 270 A 60 V Forbedring JEDEC TO-220AB, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 92 A 30 V Forbedring TO-220, HEXFET