Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 180 A 100 V Forbedring, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, HEXFET
- RS-varenummer:
- 865-5807
- Producentens varenummer:
- IRFB4110GPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 2 enheder)*
Kr. 78,47
(ekskl. moms)
Kr. 98,088
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- 8 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Sidste 128 enhed(er) afsendes fra 29. juli 2026
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | Kr. 39,235 | Kr. 78,47 |
| 10 - 18 | Kr. 37,29 | Kr. 74,58 |
| 20 - 48 | Kr. 35,755 | Kr. 71,51 |
| 50 - 98 | Kr. 34,145 | Kr. 68,29 |
| 100 + | Kr. 27,45 | Kr. 54,90 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 865-5807
- Producentens varenummer:
- IRFB4110GPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 180A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | JEDEC TO-220AB | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 370W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 150nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10.67mm | |
| Højde | 16.51mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 180A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype JEDEC TO-220AB | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 370W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 150nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10.67mm | ||
Højde 16.51mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal Power MOSFET 100 V, Infineon
Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder til overflademontering og leadet pakker. Formfaktorerne kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 180 A 100 V Forbedring JEDEC TO-220AB, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 87 A 100 V Forbedring JEDEC TO-220AB, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 270 A 60 V Forbedring JEDEC TO-220AB, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 92 A 30 V Forbedring JEDEC TO-220AB, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 53 A 55 V Forbedring JEDEC TO-220AB, HEXFET
- Infineon 1 Type N-Kanal Enkelt 3 Ben HEXFET AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 48 A 60 V Forbedring JEDEC TO-220AB, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 202 A 40 V Forbedring JEDEC TO-220AB, HEXFET