Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 5.2 A 200 V Forbedring, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, IRF620

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (50 enheder, i en tube med 50)*

Kr. 266,60

(ekskl. moms)

Kr. 333,25

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 900 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 - 50Kr. 5,332Kr. 266,60
100 - 200Kr. 4,533Kr. 226,65
250 +Kr. 4,00Kr. 200,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
178-0854
Producentens varenummer:
IRF620PBF
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

N

Produkttype

Effekt MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

5.2A

Drain source spænding maks. Vds

200V

Emballagetype

JEDEC TO-220AB

Serie

IRF620

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.8Ω

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

50W

Portkildespænding maks.

-20V, +20V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

14nC

Gennemgangsspænding Vf

1.8V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS 2002/95/EC

Bredde

4.7mm

Længde

10.41mm

Højde

9.01mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay IRF620 seriens Power MOSFET, 200 V drain source spænding, 50 W effekttab - IRF620PBF


Denne effekt-MOSFET er en højspændings N-kanal-transistor, der er beregnet til effekt-elektronik med gennemgående hul. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er velegnet til koblings- og forstærkningsopgaver, hvor der kræves en robust drain-source-spændingskapacitet. Komponenten præsenteres i en konventionel pakke med gennemgående hul for at lette monteringen i blandede teknologi-enheder.

Egenskaber og fordele:


• 200 V drain-source mærkeværdi muliggør højspændingskoblingsanvendelser
• 0,8 Ω modstand ved tænding reducerer ledningstab i kredsløb med lav strøm
• 5.2 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter moderate effektbelastninger
• 50 W effekttabskapacitet muliggør vedvarende termisk stresshåndtering
• 14 nC typisk portladning fremmer effektiv portstyring ved Vgs20 V
• N-kanalforbedringstilstand forenkler brugen i almindelige koblingstopologier

Anvendelser


• Velegnet til strømforsyninger, der håndterer højspændingsskinner
• Ideel til motorstyring i små industrielle drev
• Anvendes sammen med lydforstærkere, der kræver højspændingstransistorer
• Kan bruges til DC/DC-omformere i bordudstyr
• Velegnet til hobby- og prototype-montering med gennemgående huller

Hvilken gate-spænding skal anvendes for pålidelig omskiftning?


Enheden accepterer op til 20 V mellem gate og kilde

Brug passende gate-drivspændinger under dette maksimum for at skifte effektivt.

Hvordan påvirker den termiske ydeevne monteringsvalg?


Med 50 W maksimal dissipation anbefales en køleplade eller et tilstrækkeligt printkortkobberområde for at opretholde forbindelsestemperaturer inden for sikre grænser under kontinuerlig drift.

Hvad er de forventede koblingsegenskaber?


Den typiske gate-ladning på 14 nC ved det specificerede gate-drev angiver moderate krav til gate-drevenergi og påvirker skiftehastighed og drivervalg.

Hvilke miljømæssige ekstremer kan den tolerere?


Den er specifikeret til drift fra -55 °C op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i en lang række omgivelser og miljøer med høje temperaturer.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.