Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 5.2 A 200 V Forbedring, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, IRF620
- RS-varenummer:
- 543-0052
- Elfa Distrelec varenummer:
- 171-15-009
- Producentens varenummer:
- IRF620PBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 11,52
(ekskl. moms)
Kr. 14,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 304 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 918 enhed(er) afsendes fra 14. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 11,52 |
| 10 - 49 | Kr. 10,47 |
| 50 - 99 | Kr. 9,95 |
| 100 - 249 | Kr. 8,68 |
| 250 + | Kr. 8,08 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 543-0052
- Elfa Distrelec varenummer:
- 171-15-009
- Producentens varenummer:
- IRF620PBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5.2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Emballagetype | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | IRF620 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.8Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 50W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 14nC | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.8V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 10.41mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS 2002/95/EC | |
| Bredde | 4.7mm | |
| Højde | 9.01mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5.2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Emballagetype JEDEC TO-220AB | ||
Serie IRF620 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.8Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 50W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 14nC | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.8V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 10.41mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS 2002/95/EC | ||
Bredde 4.7mm | ||
Højde 9.01mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay IRF620 seriens Power MOSFET, 200 V drain source spænding, 50 W effekttab - IRF620PBF
Denne effekt-MOSFET er en højspændings N-kanal-transistor, der er beregnet til effekt-elektronik med gennemgående hul. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er velegnet til koblings- og forstærkningsopgaver, hvor der kræves en robust drain-source-spændingskapacitet. Komponenten præsenteres i en konventionel pakke med gennemgående hul for at lette monteringen i blandede teknologi-enheder.
Egenskaber og fordele:
• 200 V drain-source mærkeværdi muliggør højspændingskoblingsanvendelser
• 0,8 Ω modstand ved tænding reducerer ledningstab i kredsløb med lav strøm
• 5.2 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter moderate effektbelastninger
• 50 W effekttabskapacitet muliggør vedvarende termisk stresshåndtering
• 14 nC typisk portladning fremmer effektiv portstyring ved Vgs20 V
• N-kanalforbedringstilstand forenkler brugen i almindelige koblingstopologier
• 0,8 Ω modstand ved tænding reducerer ledningstab i kredsløb med lav strøm
• 5.2 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter moderate effektbelastninger
• 50 W effekttabskapacitet muliggør vedvarende termisk stresshåndtering
• 14 nC typisk portladning fremmer effektiv portstyring ved Vgs20 V
• N-kanalforbedringstilstand forenkler brugen i almindelige koblingstopologier
Anvendelser
• Velegnet til strømforsyninger, der håndterer højspændingsskinner
• Ideel til motorstyring i små industrielle drev
• Anvendes sammen med lydforstærkere, der kræver højspændingstransistorer
• Kan bruges til DC/DC-omformere i bordudstyr
• Velegnet til hobby- og prototype-montering med gennemgående huller
• Ideel til motorstyring i små industrielle drev
• Anvendes sammen med lydforstærkere, der kræver højspændingstransistorer
• Kan bruges til DC/DC-omformere i bordudstyr
• Velegnet til hobby- og prototype-montering med gennemgående huller
Hvilken gate-spænding skal anvendes for pålidelig omskiftning?
Enheden accepterer op til 20 V mellem gate og kilde
Brug passende gate-drivspændinger under dette maksimum for at skifte effektivt.
Hvordan påvirker den termiske ydeevne monteringsvalg?
Med 50 W maksimal dissipation anbefales en køleplade eller et tilstrækkeligt printkortkobberområde for at opretholde forbindelsestemperaturer inden for sikre grænser under kontinuerlig drift.
Hvad er de forventede koblingsegenskaber?
Den typiske gate-ladning på 14 nC ved det specificerede gate-drev angiver moderate krav til gate-drevenergi og påvirker skiftehastighed og drivervalg.
Hvilke miljømæssige ekstremer kan den tolerere?
Den er specifikeret til drift fra -55 °C op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i en lang række omgivelser og miljøer med høje temperaturer.
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 5.2 A 200 V Forbedring JEDEC TO-220AB, IRF620
- Vishay N-Kanal Enkelt 5.2 A 200 V, JEDEC TO-220AB
- Vishay N-Kanal 3.6 A 900 V Forbedring JEDEC TO-220AB, IRFBE
- onsemi N-Kanal 92 A 30 V Forbedring JEDEC TO-220AB, PowerTrench
- onsemi N-Kanal 79 A 150 V Forbedring JEDEC TO-220AB, PowerTrench
- Vishay N-Kanal 8 A 500 V Forbedring JEDEC TO-220AB, IRF840A
- Vishay N-Kanal 1.2 A 400 V Forbedring JEDEC TO-220AB, IRF710
- Vishay N-Kanal 3.1 A 1 kV Forbedring JEDEC TO-220AB, IRFBG30