Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 5.2 A 200 V Forbedring, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, IRF620
- RS-varenummer:
- 543-0052
- Elfa Distrelec varenummer:
- 171-15-009
- Producentens varenummer:
- IRF620PBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 11,52
(ekskl. moms)
Kr. 14,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 3 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
- Plus 483 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
- Plus 1.118 enhed(er) afsendes fra 15. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 11,52 |
| 10 - 49 | Kr. 10,47 |
| 50 - 99 | Kr. 9,95 |
| 100 - 249 | Kr. 8,68 |
| 250 + | Kr. 8,08 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 543-0052
- Elfa Distrelec varenummer:
- 171-15-009
- Producentens varenummer:
- IRF620PBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5.2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Serie | IRF620 | |
| Emballagetype | JEDEC TO-220AB | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.8Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 14nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.8V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 50W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 10.41mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS 2002/95/EC | |
| Højde | 9.01mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5.2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Serie IRF620 | ||
Emballagetype JEDEC TO-220AB | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.8Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 14nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.8V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 50W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 10.41mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS 2002/95/EC | ||
Højde 9.01mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MOSFET, 200 V til 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 5.2 A 200 V Forbedring JEDEC TO-220AB, IRF620
- Vishay Type N-Kanal Enkelt 5.2 A 200 V, JEDEC TO-220AB
- Vishay Type N-Kanal 15 A 100 V Forbedring JEDEC TO-220AB, IRL
- onsemi Type N-Kanal 79 A 150 V Forbedring JEDEC TO-220AB, PowerTrench
- Vishay Type N-Kanal 3.6 A 900 V Forbedring JEDEC TO-220AB, IRFBE
- Infineon Type N-Kanal 48 A 60 V Forbedring JEDEC TO-220AB, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 202 A 40 V Forbedring JEDEC TO-220AB, HEXFET
- Vishay Type N-Kanal 1.7 A 900 V Forbedring JEDEC TO-220AB, IRFBE