Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 5.6 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, IRF
- RS-varenummer:
- 919-0023
- Producentens varenummer:
- IRF510PBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 270,65
(ekskl. moms)
Kr. 338,30
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 50 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
- Plus 250 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
- Plus 4.950 enhed(er) afsendes fra 15. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 5,413 | Kr. 270,65 |
| 100 - 200 | Kr. 4,602 | Kr. 230,10 |
| 250 + | Kr. 4,059 | Kr. 202,95 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 919-0023
- Producentens varenummer:
- IRF510PBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5.6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | IRF | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 540mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 2.5V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 43W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8.3nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10.41mm | |
| Højde | 9.01mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5.6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie IRF | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 540mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 2.5V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 43W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8.3nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10.41mm | ||
Højde 9.01mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal MOSFET, 100 V til 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 5.6 A 100 V Forbedring TO-220, IRF
- Vishay Type N-Kanal 5.6 A 100 V Forbedring TO-263, IRF
- Vishay Type N-Kanal 2.5 A 500 V Forbedring TO-220, IRF
- Vishay Type N-Kanal 3.3 A 200 V Forbedring TO-220, IRF
- Vishay Type N-Kanal 2 A 400 V Forbedring TO-220, IRF
- Vishay Type N-Kanal 10 A 400 V Forbedring TO-220, IRF
- Vishay Type N-Kanal 14 A 100 V Forbedring TO-220, IRF
- Vishay Type N-Kanal 28 A 100 V Forbedring TO-220, IRF