Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 5.6 A 100 V Forbedring, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, IRF510
- RS-varenummer:
- 919-0023
- Producentens varenummer:
- IRF510PBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 270,65
(ekskl. moms)
Kr. 338,30
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 500 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 3.000 enhed(er) afsendes fra 29. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 5,413 | Kr. 270,65 |
| 100 - 200 | Kr. 4,602 | Kr. 230,10 |
| 250 + | Kr. 4,059 | Kr. 202,95 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 919-0023
- Producentens varenummer:
- IRF510PBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5.6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | IRF510 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 540mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 43W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8.3nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 2.5V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 4.7mm | |
| Længde | 10.41mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Højde | 9.01mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5.6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype JEDEC TO-220AB | ||
Serie IRF510 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 540mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 43W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8.3nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 2.5V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 4.7mm | ||
Længde 10.41mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Højde 9.01mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay IRF510 seriens Power MOSFET, 100 V maksimal drain source-spænding, 5,6 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IRF510PBF
Denne effekt-MOSFET er en N-kanalforbedringsenhed med gennemgående hul, der er designet til koblings- og forstærkningsopgaver i industrielle og elektroniske systemer. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er beregnet til anvendelser, der kræver moderat strømhåndtering og højspændingsblokering i en TO‐220AB-pakke.
Egenskaber og fordele:
• 100 V drain-source mærkeværdi til højspændingskontaktkapacitet • 5,6 A kontinuerlig afløbsstrøm til moderat belastningshåndtering • 540 mΩ Rds(on) for at begrænse ledningstab under belastning • 43 W effekttab til understøttelse af termisk hovedrum i samlinger • 20 V gate-source-grænse, der giver mulighed for fleksible driftsspændinger • 8,3 nC typisk gate-ladning, der muliggør forudsigelige koblingsprofiler
Anvendelser
• Velegnet til motordriverstrin i automatiseringsudstyr • Ideel til strømkobling i laboratoriestrømforsyninger • Anvendes til belastningsswitching i test- og måleplader • Kan bruges til analoge forstærkerudgange i styringssystemer
Hvilke driftstemperaturer kan den tåle i barske miljøer?
Den fungerer fra -55 °C op til 175 °C, hvilket giver mulighed for brug under krævende temperaturforhold.
Hvordan er enheden monteret for mekanisk og termisk stabilitet?
Den bruger en gennemgående hulmontering i en TO-220AB-pakke, der muliggør sikker PCB-fastgørelse og nem varmeafledning.
Hvilke hensyn til gate-drev påvirker koblingens ydeevne?
Den typiske gate-ladning på 8,3 nC ved nominel Vgs påvirker driverstrømkrav og skiftehastighedsudligninger.
Hvad skal der tages hensyn til ved parring med en køleplade?
Med 43 W maksimal dissipation skal kølelegemets termiske modstand og luftstrøm dimensioneres for at holde samlingstemperaturen inden for grænserne.
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 5.6 A 100 V Forbedring TO-220, IRF
- Vishay Type N-Kanal 5.6 A 100 V Forbedring TO-263, IRF
- Vishay Type N-Kanal 2.5 A 500 V Forbedring TO-220, IRF
- Vishay Type N-Kanal 3.3 A 200 V Forbedring TO-220, IRF
- Vishay Type N-Kanal 2 A 400 V Forbedring TO-220, IRF
- Vishay Type N-Kanal 10 A 400 V Forbedring TO-220, IRF
- Vishay Type N-Kanal 14 A 100 V Forbedring TO-220, IRF
- Vishay Type N-Kanal 28 A 100 V Forbedring TO-220, IRF