Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 11 A 500 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, IRFB
- RS-varenummer:
- 541-1944
- Producentens varenummer:
- IRFB11N50APBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 21,24
(ekskl. moms)
Kr. 26,55
(inkl. moms)
Tilføj 25 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- 33 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 569 enhed(er) afsendes fra 24. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 21,24 |
| 10 - 49 | Kr. 20,57 |
| 50 - 99 | Kr. 19,82 |
| 100 - 249 | Kr. 18,70 |
| 250 + | Kr. 17,65 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 541-1944
- Producentens varenummer:
- IRFB11N50APBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 11A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 500V | |
| Serie | IRFB | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 520mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 170W | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 52nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.41mm | |
| Højde | 9.01mm | |
| Bredde | 4.7 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 11A | ||
Drain source spænding maks. Vds 500V | ||
Serie IRFB | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 520mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 170W | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 52nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.41mm | ||
Højde 9.01mm | ||
Bredde 4.7 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MOSFET, 500 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 11 A 500 V Forbedring TO-220, IRFB
- Vishay Type N-Kanal 4.1 A 800 V Forbedring TO-220, IRFBE
- Vishay Type N-Kanal 1.8 A 800 V Forbedring TO-220, IRFBE
- Vishay Type N-Kanal 1.7 A 900 V Forbedring JEDEC TO-220AB, IRFBE
- Vishay Type N-Kanal 3.6 A 900 V Forbedring JEDEC TO-220AB, IRFBE
- Vishay Type N-Kanal 11 A 600 V Forbedring TO-220, SiHA125N60EF
- Vishay Type N-Kanal 2.5 A 500 V Forbedring TO-220, IRF
- Vishay Type N-Kanal 5 A 500 V Forbedring TO-220, IRF830A