Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 11 A 500 V Forbedring, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, IRFB11N50A
- RS-varenummer:
- 541-1944
- Producentens varenummer:
- IRFB11N50APBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 20,94
(ekskl. moms)
Kr. 26,18
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 95 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 219 enhed(er) afsendes fra 15. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 20,94 |
| 10 - 49 | Kr. 20,20 |
| 50 - 99 | Kr. 19,45 |
| 100 - 249 | Kr. 18,40 |
| 250 + | Kr. 17,43 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 541-1944
- Producentens varenummer:
- IRFB11N50APBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 11A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 500V | |
| Serie | IRFB11N50A | |
| Emballagetype | JEDEC TO-220AB | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 520mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 52nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 170W | |
| Portkildespænding maks. | -30V, +30V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 9.01mm | |
| Bredde | 4.7mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 10.41mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 11A | ||
Drain source spænding maks. Vds 500V | ||
Serie IRFB11N50A | ||
Emballagetype JEDEC TO-220AB | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 520mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 52nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 170W | ||
Portkildespænding maks. -30V, +30V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 9.01mm | ||
Bredde 4.7mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 10.41mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay IRFB11N50A seriens Power MOSFET, 500 V drain source spænding, 11 A kontinuerlig drain strøm - IRFB11N50APBF
Denne effekt-MOSFET er en højspændings N-kanals koblingsenhed, der er designet til montering på kort med gennemgående hul i industrielle og kraftelektroniske sammenhænge. Den fungerer over et bredt temperaturområde, understøtter betydelige skiftestrømme og spændinger og leveres i en TO-220AB-pakke til nem kølelegeme og montering på chassis.
Egenskaber og fordele:
• 500 V drain-klassificering muliggør højspændingskoblingsanvendelser
• 11 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter håndtering af tung belastning
• 170 W maks. tab muliggør betydelig effektkobling
• 520 mΩ Rds(on) giver forudsigelige ledningstab
• 52 nC typisk gate-ladning muliggør kontrolleret gate-drive-design
• 30 V portgrænse beskytter mod for store drivspændinger
• 11 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter håndtering af tung belastning
• 170 W maks. tab muliggør betydelig effektkobling
• 520 mΩ Rds(on) giver forudsigelige ledningstab
• 52 nC typisk gate-ladning muliggør kontrolleret gate-drive-design
• 30 V portgrænse beskytter mod for store drivspændinger
Anvendelser
• Velegnet til højspændingsstrømforsyninger og konvertere
• Ideel til industrielle skiftetrin for motordrev
• Anvendes sammen med diskrete MOSFET-enheder i effektinvertere
• Kan bruges til switch-mode strømregulatorer og controllere
• Velegnet til laboratorieprøveanlæg og prototyper
• Ideel til industrielle skiftetrin for motordrev
• Anvendes sammen med diskrete MOSFET-enheder i effektinvertere
• Kan bruges til switch-mode strømregulatorer og controllere
• Velegnet til laboratorieprøveanlæg og prototyper
Hvilket termisk område kan jeg forvente for felt- og opbevaringsforhold?
Den fungerer mellem -55 °C og 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i barske omgivelser.
Hvordan monteres og køles enheden i et system?
TO-220AB-formatet med gennemgående hul giver mulighed for at bolte til en ekstern køleplade eller et chassis for forbedret varmeoverførsel.
Hvilke hensyn til gate-driver er vigtige for at forhindre skader?
Hold gate-spændingen inden for en grænse på 30 V, og design driveren til at oplade ca. 52 nC for at skifte pålideligt.
Hvordan påvirker den fremadgående spænding ledningsevnen i kredsløb?
Den fremadrettede spænding på 1,5 V vil påvirke de samlede systemtab under ledning og bør medtages i termiske og effektivitetsberegninger.
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 11 A 500 V Forbedring JEDEC TO-220AB, IRFB11N50A
- Vishay N-Kanal 8 A 500 V Forbedring JEDEC TO-220AB, IRF840A
- Vishay N-Kanal 8 A 500 V Forbedring JEDEC TO-220AB, IRF840
- Vishay N-Kanal 5 A 500 V Forbedring JEDEC TO-220AB, IRF830A
- Vishay N-Kanal 2.5 A 500 V Forbedring JEDEC TO-220AB, IRF820
- Vishay N-Kanal 8.7 A 500 V Forbedring JEDEC TO-220AB, D Series
- Vishay 1 Type P-Kanal Enkelt 11 A 60 V, JEDEC TO-220AB
- Vishay N-Kanal 3.6 A 900 V Forbedring JEDEC TO-220AB, IRFBE