Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 11 A 500 V Forbedring, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, IRFB11N50A
- RS-varenummer:
- 541-1944
- Producentens varenummer:
- IRFB11N50APBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 20,94
(ekskl. moms)
Kr. 26,18
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 137 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 219 enhed(er) afsendes fra 30. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 20,94 |
| 10 - 49 | Kr. 20,20 |
| 50 - 99 | Kr. 19,45 |
| 100 - 249 | Kr. 18,40 |
| 250 + | Kr. 17,43 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 541-1944
- Producentens varenummer:
- IRFB11N50APBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 11A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 500V | |
| Emballagetype | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | IRFB11N50A | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 520mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 52nC | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 170W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 10.41mm | |
| Højde | 9.01mm | |
| Bredde | 4.7mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 11A | ||
Drain source spænding maks. Vds 500V | ||
Emballagetype JEDEC TO-220AB | ||
Serie IRFB11N50A | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 520mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 52nC | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 170W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 10.41mm | ||
Højde 9.01mm | ||
Bredde 4.7mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay IRFB11N50A seriens Power MOSFET, 500 V maksimal drain source-spænding, 11 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IRFB11N50APBF
Denne effekt-MOSFET er en højspændings N-kanals koblingsenhed, der er designet til strømkonvertering og styring i industrielle systemer. Den fungerer som en forstærkningstransistor til styring af højspændingsbelastninger og monteres gennem printkortet ved hjælp af en TO-220AB-pakke med gennemgående hul til nem kølelegeme og montering.
Egenskaber og fordele:
• 500 V maksimal drain-source-spænding muliggør højspændingsswitching
• 11 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter moderate belastningsstrømme
• 520 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab i lavbelastningskredsløb
• 170 W effekttab muliggør betydelig termisk håndtering
• 52 nC typisk gate-ladning letter forudsigelig skiftedynamik
• Maksimal driftstemperatur på 150 °C opretholder høje termiske miljøer
• 11 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter moderate belastningsstrømme
• 520 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab i lavbelastningskredsløb
• 170 W effekttab muliggør betydelig termisk håndtering
• 52 nC typisk gate-ladning letter forudsigelig skiftedynamik
• Maksimal driftstemperatur på 150 °C opretholder høje termiske miljøer
Anvendelser
• Velegnet til SMPS-primærsidekobling i strømforsyninger
• Ideel til omskiftning af invertertrin i motordrev
• Anvendes til højspændings DC-DC-konverteringsmoduler
• Kan bruges til industrielle relæ- og kontaktordrevkredsløb
• Ideel til omskiftning af invertertrin i motordrev
• Anvendes til højspændings DC-DC-konverteringsmoduler
• Kan bruges til industrielle relæ- og kontaktordrevkredsløb
Hvilke gate-drevgrænser skal jeg overholde for sikker drift?
Driv porten inden for ±30 V for at undgå at overskride den maksimale port-kilde-klassificering og sikre pålidelig omskiftning.
Hvordan påvirker termisk styring ydeevnen under kontinuerlig belastning?
Tilslut en kølelegeme til TO-220AB-fanen for at holde forbindelsestemperaturen under maksimale grænser og opretholde den angivne effekttabskapacitet.
Hvilket omgivelsesområde understøttes til implementering på industrielle steder?
Enheden tåler driftstemperaturer ned til -55 °C og op til 150 °C til brug under en lang række miljøforhold.
Hvordan påvirker husstypen montering og serviceevne?
Formatet med gennemgående hul TO-220AB muliggør sikker mekanisk montering og nem udskiftning under vedligeholdelse.
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 11 A 500 V Forbedring TO-220, IRFB
- Vishay Type N-Kanal 4.1 A 800 V Forbedring TO-220, IRFBE
- Vishay Type N-Kanal 1.8 A 800 V Forbedring TO-220, IRFBE
- Vishay Type N-Kanal 3.6 A 900 V Forbedring JEDEC TO-220AB, IRFBE
- Vishay Type N-Kanal 1.7 A 900 V Forbedring JEDEC TO-220AB, IRFBE
- STMicroelectronics Type N-Kanal 7.2 A 500 V Forbedring TO-220
- STMicroelectronics Type N-Kanal 11 A 800 V Forbedring TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 11 A 600 V Forbedring TO-220, MDmesh