Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 11 A 500 V Forbedring, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, IRFB11N50A

RS-varenummer:: 178-0823
Producentens varenummer:: IRFB11N50APBF
Brand:: Vishay

Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 11 A 500 V Forbedring, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, IRFB11N50A

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 574,45

(ekskl. moms)

Kr. 718,05

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

200 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rør*
50 +	Kr. 11,489	Kr. 574,45

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 178-0823
Producentens varenummer:: IRFB11N50APBF
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Kanaltype	N
	Produkttype	Effekt MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	11A
	Drain source spænding maks. Vds	500V
	Serie	IRFB11N50A
	Emballagetype	JEDEC TO-220AB
	Monteringstype	Hulmontering
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	520mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Portkildespænding maks.	-30V, +30V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	52nC
	Gennemgangsspænding Vf	1.5V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	170W
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Længde	10.41mm
	Bredde	4.7mm
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Højde	9.01mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Kanaltype N
	Produkttype Effekt MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 11A
	Drain source spænding maks. Vds 500V
	Serie IRFB11N50A
	Emballagetype JEDEC TO-220AB
	Monteringstype Hulmontering
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 520mΩ
	Kanalform Forbedring
	Portkildespænding maks. -30V, +30V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 52nC
	Gennemgangsspænding Vf 1.5V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 170W
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Længde 10.41mm
	Bredde 4.7mm
	Standarder/godkendelser RoHS
	Højde 9.01mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet

Log ind for at downloade CAD-modeller

Vishay IRFB11N50A seriens Power MOSFET, 500 V drain source spænding, 11 A kontinuerlig drain strøm - IRFB11N50APBF

Denne effekt-MOSFET er en højspændings N-kanals koblingsenhed, der er designet til montering på kort med gennemgående hul i industrielle og kraftelektroniske sammenhænge. Den fungerer over et bredt temperaturområde, understøtter betydelige skiftestrømme og spændinger og leveres i en TO-220AB-pakke til nem kølelegeme og montering på chassis.

Egenskaber og fordele:

• 500 V drain-klassificering muliggør højspændingskoblingsanvendelser
• 11 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter håndtering af tung belastning
• 170 W maks. tab muliggør betydelig effektkobling
• 520 mΩ Rds(on) giver forudsigelige ledningstab
• 52 nC typisk gate-ladning muliggør kontrolleret gate-drive-design
• 30 V portgrænse beskytter mod for store drivspændinger

Anvendelser

• Velegnet til højspændingsstrømforsyninger og konvertere
• Ideel til industrielle skiftetrin for motordrev
• Anvendes sammen med diskrete MOSFET-enheder i effektinvertere
• Kan bruges til switch-mode strømregulatorer og controllere
• Velegnet til laboratorieprøveanlæg og prototyper

Hvilket termisk område kan jeg forvente for felt- og opbevaringsforhold?

Den fungerer mellem -55 °C og 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i barske omgivelser.

Hvordan monteres og køles enheden i et system?

TO-220AB-formatet med gennemgående hul giver mulighed for at bolte til en ekstern køleplade eller et chassis for forbedret varmeoverførsel.

Hvilke hensyn til gate-driver er vigtige for at forhindre skader?

Hold gate-spændingen inden for en grænse på 30 V, og design driveren til at oplade ca. 52 nC for at skifte pålideligt.

Hvordan påvirker den fremadgående spænding ledningsevnen i kredsløb?

Den fremadrettede spænding på 1,5 V vil påvirke de samlede systemtab under ledning og bør medtages i termiske og effektivitetsberegninger.