Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 11 A 500 V Forbedring, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, IRFB11N50A

RS-varenummer:: 178-0823
Producentens varenummer:: IRFB11N50APBF
Brand:: Vishay

Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 11 A 500 V Forbedring, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, IRFB11N50A

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 574,45

(ekskl. moms)

Kr. 718,05

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

200 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rør*
50 +	Kr. 11,489	Kr. 574,45

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 178-0823
Producentens varenummer:: IRFB11N50APBF
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Kanaltype	Type N
	Produkttype	Effekt MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	11A
	Drain source spænding maks. Vds	500V
	Emballagetype	JEDEC TO-220AB
	Serie	IRFB11N50A
	Monteringstype	Hulmontering
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	520mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	52nC
	Gennemgangsspænding Vf	1.5V
	Portkildespænding maks.	30V
	Effektafsættelse maks. Pd	170W
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Længde	10.41mm
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Bredde	4.7mm
	Højde	9.01mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Kanaltype Type N
	Produkttype Effekt MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 11A
	Drain source spænding maks. Vds 500V
	Emballagetype JEDEC TO-220AB
	Serie IRFB11N50A
	Monteringstype Hulmontering
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 520mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 52nC
	Gennemgangsspænding Vf 1.5V
	Portkildespænding maks. 30V
	Effektafsættelse maks. Pd 170W
	Min. driftstemperatur -55°C
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Længde 10.41mm
	Standarder/godkendelser RoHS
	Bredde 4.7mm
	Højde 9.01mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet

Log ind for at downloade CAD-modeller

Vishay IRFB11N50A seriens Power MOSFET, 500 V maksimal drain source-spænding, 11 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IRFB11N50APBF

Denne effekt-MOSFET er en højspændings N-kanals koblingsenhed, der er designet til strømkonvertering og styring i industrielle systemer. Den fungerer som en forstærkningstransistor til styring af højspændingsbelastninger og monteres gennem printkortet ved hjælp af en TO-220AB-pakke med gennemgående hul til nem kølelegeme og montering.

Egenskaber og fordele:

• 500 V maksimal drain-source-spænding muliggør højspændingsswitching
• 11 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter moderate belastningsstrømme
• 520 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab i lavbelastningskredsløb
• 170 W effekttab muliggør betydelig termisk håndtering
• 52 nC typisk gate-ladning letter forudsigelig skiftedynamik
• Maksimal driftstemperatur på 150 °C opretholder høje termiske miljøer

Anvendelser

• Velegnet til SMPS-primærsidekobling i strømforsyninger
• Ideel til omskiftning af invertertrin i motordrev
• Anvendes til højspændings DC-DC-konverteringsmoduler
• Kan bruges til industrielle relæ- og kontaktordrevkredsløb

Hvilke gate-drevgrænser skal jeg overholde for sikker drift?

Driv porten inden for ±30 V for at undgå at overskride den maksimale port-kilde-klassificering og sikre pålidelig omskiftning.

Hvordan påvirker termisk styring ydeevnen under kontinuerlig belastning?

Tilslut en kølelegeme til TO-220AB-fanen for at holde forbindelsestemperaturen under maksimale grænser og opretholde den angivne effekttabskapacitet.

Hvilket omgivelsesområde understøttes til implementering på industrielle steder?

Enheden tåler driftstemperaturer ned til -55 °C og op til 150 °C til brug under en lang række miljøforhold.

Hvordan påvirker husstypen montering og serviceevne?

Formatet med gennemgående hul TO-220AB muliggør sikker mekanisk montering og nem udskiftning under vedligeholdelse.