Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 2.2 A 600 V Forbedring, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, IRFBC20
- RS-varenummer:
- 542-9490
- Producentens varenummer:
- IRFBC20PBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 5,02
(ekskl. moms)
Kr. 6,28
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 968 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 5,02 |
| 10 - 49 | Kr. 4,24 |
| 50 - 99 | Kr. 4,07 |
| 100 - 249 | Kr. 3,83 |
| 250 + | Kr. 3,53 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 542-9490
- Producentens varenummer:
- IRFBC20PBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2.2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | IRFBC20 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.4Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 18nC | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 50W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 10.41mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bredde | 4.7mm | |
| Højde | 9.01mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype JEDEC TO-220AB | ||
Serie IRFBC20 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.4Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 18nC | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 50W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 10.41mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bredde 4.7mm | ||
Højde 9.01mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay IRFBC20 seriens effekt-MOSFET, 600 V maksimal drain-kildespænding, 50 W maksimal effekttab - IRFBC20PBF
Denne effekt-MOSFET er en højspændings N-kanals koblingstransistor, der er designet til brug i strømkonverterings- og styringskredsløb. Den fungerer som en enhed med forbedringstilstand, der er velegnet til koblings- og forstærkningsopgaver over et bredt industrielt temperaturområde, og den leveres i en TO-220AB-pakke med gennemgående hul til nem montering og integration af varmeafledere.
Egenskaber og fordele:
• 600 V drain-til-kilde-modstand giver mulighed for højspændingsswitching
• 2.2 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter moderate belastningsstrømme
• 4.4 Ω lav Rds(on) reducerer ledningstab, hvor strømme er begrænsede
• 50 W maks. effekttab muliggør vedvarende termisk belastning
• 18 nC typisk gate-ladning giver mulighed for forudsigelig skifteadfærd
• 20 V portklassificering muliggør almindelige portdrevspændinger
• 2.2 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter moderate belastningsstrømme
• 4.4 Ω lav Rds(on) reducerer ledningstab, hvor strømme er begrænsede
• 50 W maks. effekttab muliggør vedvarende termisk belastning
• 18 nC typisk gate-ladning giver mulighed for forudsigelig skifteadfærd
• 20 V portklassificering muliggør almindelige portdrevspændinger
Anvendelser
• Velegnet til højspændingsstrømforsyninger og konvertere
• Ideel til switch-mode effektregulatorer i industrielt udstyr
• Anvendes sammen med diskrete drivertrin i motorstyringsinterfaces
• Kan bruges til dæmper- og klemmefunktioner i strømsystemer
• Velegnet til laboratorieprototyping ved hjælp af hulmontering
• Ideel til switch-mode effektregulatorer i industrielt udstyr
• Anvendes sammen med diskrete drivertrin i motorstyringsinterfaces
• Kan bruges til dæmper- og klemmefunktioner i strømsystemer
• Velegnet til laboratorieprototyping ved hjælp af hulmontering
Hvilke omgivelsestemperaturer kan den modstå under drift?
Den kan fungere på tværs af et industrielt område fra -55 °C op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i barske termiske miljøer.
Hvordan skal den monteres for effektiv varmeafledning?
TO-220AB-formatet med gennemgående hul er kompatibelt med standardkøleelementer og printkortmontering med skruemontering for forbedret termisk overførsel.
Hvilke grænser for portdrev skal overholdes?
Den maksimale gate-til-kilde-spænding er 20 V, så gate-drive-kredsløb bør begrænses til dette niveau for at undgå at beskadige gate-oxidet.
Er den velegnet til anvendelser i bilkvalitet?
Det er ikke specificeret for at opfylde bilstandarder og bør derfor undgås, hvor bilgodkendelser er obligatoriske.
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 2.2 A 600 V Forbedring JEDEC TO-220AB, IRFBC20
- Vishay N-Kanal 9.2 A 600 V Forbedring JEDEC TO-220AB, IRFB9N60A
- Vishay N-Kanal 3.6 A 900 V Forbedring JEDEC TO-220AB, IRFBE
- onsemi N-Kanal 92 A 30 V Forbedring JEDEC TO-220AB, PowerTrench
- onsemi N-Kanal 79 A 150 V Forbedring JEDEC TO-220AB, PowerTrench
- Vishay N-Kanal 8 A 500 V Forbedring JEDEC TO-220AB, IRF840A
- Vishay N-Kanal 1.2 A 400 V Forbedring JEDEC TO-220AB, IRF710
- Vishay N-Kanal 3.1 A 1 kV Forbedring JEDEC TO-220AB, IRFBG30
