Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 29 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, EF Nej
- RS-varenummer:
- 200-6795
- Producentens varenummer:
- SiHP105N60EF-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 168,30
(ekskl. moms)
Kr. 210,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 90 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 33,66 | Kr. 168,30 |
| 25 - 45 | Kr. 30,308 | Kr. 151,54 |
| 50 - 120 | Kr. 28,618 | Kr. 143,09 |
| 125 - 245 | Kr. 26,928 | Kr. 134,64 |
| 250 + | Kr. 25,238 | Kr. 126,19 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 200-6795
- Producentens varenummer:
- SiHP105N60EF-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 29A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | EF | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 88mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 208W | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 53nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 4.65 mm | |
| Højde | 14.4mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.52mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 29A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie EF | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 88mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 208W | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 53nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 4.65 mm | ||
Højde 14.4mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.52mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay SiHP105N60EF-GE3 er en effekt-MOSFET i EF-serien med hurtig diode.
Generation E-serie teknologi
Lavt antal-af-fortjeneste
Lav effektiv kapacitet
Færre skift og ledningstab
Nominel lavine-energi (UIS)
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 29 A 650 V TO-220AB, EF SiHP105N60EF-GE3
- Vishay N-Kanal 12 A 3 ben EF SIHP186N60EF-GE3
- Vishay N-Kanal 16 A 3 ben EF SIHP125N60EF-GE3
- Vishay N-Kanal 8 A 800 V TO-220AB, EF Series SIHP11N80AEF-GE3
- Vishay N-Kanal 13 A 800 V TO-220AB, EF-Series SIHP15N80AEF-GE3
- Vishay N-Kanal 47 A 650 V TO-220AB SIHP054N65E-GE3
- Vishay N-Kanal 35 A 650 V TO-220AB SIHP074N65E-GE3
- Vishay N-Kanal 34 A 650 V TO-220AB SIHP085N60EF-GE3
