Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 8.4 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, EF

RS-varenummer:: 210-4963
Producentens varenummer:: SiHA186N60EF-GE3
Brand:: Vishay

Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 8.4 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, EF

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 53,14

(ekskl. moms)

Kr. 66,425

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

960 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
5 +	Kr. 10,628	Kr. 53,14

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 210-4963
Producentens varenummer:: SiHA186N60EF-GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Produkttype	Effekt MOSFET
	Kanaltype	Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	8.4A
	Drain source spænding maks. Vds	600V
	Serie	EF
	Emballagetype	TO-220
	Monteringstype	Hulmontering
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	168mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	21nC
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Portkildespænding maks.	30V
	Effektafsættelse maks. Pd	33W
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Højde	4.3mm
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Længde	28.1mm
	Bredde	9.7mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Produkttype Effekt MOSFET
	Kanaltype Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8.4A
	Drain source spænding maks. Vds 600V
	Serie EF
	Emballagetype TO-220
	Monteringstype Hulmontering
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 168mΩ
	Kanalform Forbedring
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 21nC
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Portkildespænding maks. 30V
	Effektafsættelse maks. Pd 33W
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Højde 4.3mm
	Standarder/godkendelser RoHS
	Længde 28.1mm
	Bredde 9.7mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - SiHA186N60EF-GE3

Vishay EF seriens Power MOSFET, 600 V drain source spænding, 8,4 A maksimal kontinuerlig drain strøm - SiHA186N60EF-GE3

Denne effekt-MOSFET er en højspændings N-kanals koblingsenhed, der er designet til industriel strømstyring og konvertering. Den fungerer som en forstærkningstransistor til brug i hulmontering og er velegnet til anvendelser, der kræver vedvarende drift over et bredt temperaturområde.

Egenskaber og fordele:

• 600 V drain-klassificering muliggør højspændingskoblingsanvendelser • 8,4 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter moderate belastningsstrømme • 168 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab under belastning • 21 nC typisk gate-ladning minimerer drivenergikrav • 33 W effekttab muliggør stabil termisk håndtering • 150 °C maksimal driftstemperatur tåler barske termiske forhold

Anvendelser

• Velegnet til højspændings-switch-mode strømforsyninger • Ideel til industrielle motordrev gate-trin • Anvendes til netfrekvensinverterudgangstrin • Kan bruges til effektfaktorkorrektionskredsløb • Anvendes med diskrete strømforsyningsenheder, der kræver montering gennem hul

Hvilket gate-spændingsområde er sikkert til omskiftningskontrol?

Enheden accepterer op til 30 V mellem port og kilde, så drivertrin bør begrænses inden for dette område for at undgå portoverbelastning.

Hvordan påvirker valget af pakke monteringen og varmestyringen?

TO-220-pakken med gennemgående hul letter bolt-down-kølelegeme og nem PCB-montering for effektiv termisk kobling.

Hvilke ekstreme omgivelsestemperaturer kan den modstå?

Den fungerer fra -55 °C op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i miljøer med brede termiske udgange.

Hvad skal der tages hensyn til ved design af kontinuerlig strøm?

Regner for 8,4 A kontinuerlig afløbsstrøm og 33 W tab ved at angive tilstrækkelig kølelegeme og en termisk vej for at opretholde sikre samlingstemperaturer.

Hvordan påvirker gate-opladning drivervalg?

En typisk gate-ladning på 21 nC hjælper med at bestemme krav til driverstrøm og skiftehastighed for at opnå de ønskede stige- og faldtider.