Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 16 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-220FP, SiHF068N60EF
- RS-varenummer:
- 204-7249
- Producentens varenummer:
- SIHF068N60EF-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 209,59
(ekskl. moms)
Kr. 261,99
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 16. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 41,918 | Kr. 209,59 |
| 25 - 45 | Kr. 37,73 | Kr. 188,65 |
| 50 - 120 | Kr. 34,498 | Kr. 172,49 |
| 125 - 245 | Kr. 33,57 | Kr. 167,85 |
| 250 + | Kr. 32,748 | Kr. 163,74 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 204-7249
- Producentens varenummer:
- SIHF068N60EF-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 16A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | SiHF068N60EF | |
| Emballagetype | TO-220FP | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 68mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 51nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 39W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 4.6mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 28.6mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 16A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie SiHF068N60EF | ||
Emballagetype TO-220FP | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 68mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 51nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 39W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 4.6mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 28.6mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay EF seriens Power MOSFET med fast Body diode har 4. Generation E-serie teknologi. Den har reduceret skift- og ledningstab.
Nominel lavine-energi (UIS)
Lavt figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 16 A 600 V Forbedring TO-220FP, SiHF068N60EF
- STMicroelectronics Type N-Kanal 11 A 600 V Forbedring TO-220FP, MDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 6 A 600 V Forbedring TO-220FP, SuperMESH
- Infineon Type N-Kanal 15 A 600 V Forbedring TO-220FP, CoolMOS C3
- Vishay Type N-Kanal 5.5 A 600 V Forbedring TO-220FP, IRFI
- STMicroelectronics 1 Type N-Kanal Enkelt 11 A 600 V Forbedring TO-220FP, MDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 10 A 600 V Forbedring TO-220FP, FDmesh
- Vishay Type N-Kanal 4.5 A 100 V Forbedring TO-220FP