Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 16 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-220FP, SiHF068N60EF Nej SIHF068N60EF-GE3
- RS-varenummer:
- 204-7249
- Producentens varenummer:
- SIHF068N60EF-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 137,78
(ekskl. moms)
Kr. 172,225
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 5 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 27,556 | Kr. 137,78 |
| 25 - 45 | Kr. 24,788 | Kr. 123,94 |
| 50 - 120 | Kr. 22,68 | Kr. 113,40 |
| 125 - 245 | Kr. 22,066 | Kr. 110,33 |
| 250 + | Kr. 21,528 | Kr. 107,64 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 204-7249
- Producentens varenummer:
- SIHF068N60EF-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 16A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | TO-220FP | |
| Serie | SiHF068N60EF | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 68mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 51nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | ±30 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 39W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 10 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 28.6mm | |
| Højde | 4.6mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 16A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype TO-220FP | ||
Serie SiHF068N60EF | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 68mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 51nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. ±30 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 39W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 10 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 28.6mm | ||
Højde 4.6mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay EF seriens Power MOSFET med fast Body diode har 4. Generation E-serie teknologi. Den har reduceret skift- og ledningstab.
Nominel lavine-energi (UIS)
Lavt figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 16 A 600 V Forbedring TO-220FP, SiHF068N60EF Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 6 A 600 V Forbedring TO-220FP, SuperMESH Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 11 A 600 V Forbedring TO-220FP, MDmesh Nej STF13NM60N
- STMicroelectronics Type N-Kanal 6 A 600 V Forbedring TO-220FP, SuperMESH Nej STP6NK60ZFP
- Vishay Type N-Kanal 5.5 A 600 V Forbedring TO-220FP, IRFI Nej
- Infineon Type N-Kanal 15 A 600 V Forbedring TO-220FP, CoolMOS C3 Nej
- Infineon Type N-Kanal 10.3 A 600 V Forbedring TO-220FP, CoolMOS CE Nej
- Vishay Type N-Kanal 5.5 A 600 V Forbedring TO-220FP, IRFI Nej IRFIB6N60APBF