Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 25 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, EF

RS-varenummer:: 204-7245
Producentens varenummer:: SIHB125N60EF-GE3
Brand:: Vishay

Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 25 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, EF

Indhold (3000 enheder, på en rulle med 3000)*

Kr. 42.990,00

(ekskl. moms)

Kr. 53.730,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 16. april 2027

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
3000 +	Kr. 14,33	Kr. 42.990,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 204-7245
Producentens varenummer:: SIHB125N60EF-GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Kanaltype	N
	Produkttype	Effekt MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	25A
	Drain source spænding maks. Vds	600V
	Emballagetype	TO-263
	Serie	EF
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	125mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	31nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	179W
	Portkildespænding maks.	30V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Højde	4.06mm
	Bredde	9.65mm
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Længde	14.61mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Kanaltype N
	Produkttype Effekt MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 25A
	Drain source spænding maks. Vds 600V
	Emballagetype TO-263
	Serie EF
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 125mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 31nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 179W
	Portkildespænding maks. 30V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Højde 4.06mm
	Bredde 9.65mm
	Standarder/godkendelser RoHS
	Længde 14.61mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - SIHB125N60EF-GE3

Vishay EF-serie Power MOSFET, 600 V maksimal drain source-spænding, 25 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SIHB125N60EF-GE3

Denne effekt-MOSFET er en højspændings N-kanals koblingstransistor, der er designet til overflademonterede anvendelser, hvor der kræves robust afløbsstrøm og termisk håndtering. Den fungerer over et bredt omgivelsesområde og er beregnet til koblings- og strømkonverteringsopgaver i industriel og kommerciel elektronik. Enheden leveres i en TO-263-pakke, der er kompatibel med overflademonteret samling og er i overensstemmelse med RoHS-begrænsninger.

Egenskaber og fordele:

• 600 V-klassificering muliggør højspændingskoblingsanvendelser
• 25 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter kraftige belastningsstrømme
• 179 W effekttab muliggør vedvarende termisk ydeevne
• 125 mΩ Rds(on) minimerer ledningstab under drift
• 31 nC typisk gate-ladning muliggør effektiv gate-drive-timing
• Vgs maks. 30 V giver en bred gate-drive-margin til styring

Anvendelser

• Velegnet til SMPS-switche på primærsiden i højspændingsforsyninger
• Ideel til effektfaktorkorrektionstrin, der kræver høj spænding
• Anvendes sammen med frontender til motordrev, der håndterer høje spændinger
• Kan bruges til omskiftere i industrielle omformere
• Velegnet til LED-drivere, der har brug for højspændingskontaktkapacitet

Hvilke ekstreme temperaturer kan enheden modstå under drift?

Den er normeret til drift fra -55 °C op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i barske termiske miljøer.

Hvor mange elektriske forbindelser giver pakken?

Enheden bruger en trebenet konfiguration, der er velegnet til almindelige MOSFET-topologier og printkortlayouts.

Er denne enhed velegnet til certificeringsprogrammer inden for bilindustrien?

Den er ikke udpeget som en komponent i bilstandarden og mangler udtrykkelig godkendelse til biler.

Hvilken monteringsmetode kræves der for termisk og mekanisk stabilitet?

Den er beregnet til overflademontering i TO-263-format, hvilket letter varmeoverførsel til kobberområderne på printkortet.