Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 25 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, SiHB125N60EF Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 42.990,00

(ekskl. moms)

Kr. 53.730,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 18. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 14,33Kr. 42.990,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
204-7245
Producentens varenummer:
SIHB125N60EF-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

25A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

TO-263

Serie

SiHB125N60EF

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

125mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

31nC

Effektafsættelse maks. Pd

179W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Portkildespænding maks.

30 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

14.61mm

Højde

4.06mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

9.65 mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay EF seriens Power MOSFET med fast Body diode har 4. Generation E-serie teknologi. Den har reduceret skift- og ledningstab.

Nominel lavine-energi (UIS)

Lavt figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Relaterede links