Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 22 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, E
- RS-varenummer:
- 279-9903
- Producentens varenummer:
- SIHB150N60E-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 917,10
(ekskl. moms)
Kr. 1.146,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 950 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 18,342 | Kr. 917,10 |
| 100 + | Kr. 16,306 | Kr. 815,30 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 279-9903
- Producentens varenummer:
- SIHB150N60E-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 22A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | E | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.137Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 36nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 179W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 10.67mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 22A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie E | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.137Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 36nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 179W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 10.67mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay seriens E-effekt MOSFET, 600 V maksimal drain-kildespænding, 22 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SIHB150N60E-GE3
Denne effekt-MOSFET er en højspændingstransistor, der er designet til brug i strømkonverterings- og styringskredsløb i industrielle og automatiseringsmiljøer. Den fungerer som en N-kanalenhed med forstærkning i en TO-263-pakke til overflademontering, hvilket giver et praktisk fodaftryk til enheder, der kræver robust højspændingsswitching, samtidig med at den kan modstå et bredt temperaturområde.
Egenskaber og fordele:
• 600 V drain-klassificering muliggør højspændingskoblingsanvendelser • 22 A kontinuerlig afløbsstrøm muliggør vedvarende belastningshåndtering • 0,137 Ω Rds(on) reducerer ledningstab under belastning • 179 W effekttab understøtter højere effekttrin • 36 nC typisk gate-ladning letter håndterbare skiftetab • 30 V mærkespænding for gate muliggør bred fleksibilitet for gate-drev
Anvendelser
• Velegnet til switch-mode strømforsyninger, der kræver højspændingstransistorer • Ideel til motordrev i industrielle automatiseringssystemer • Anvendes til invertertrin i strømkonverteringsmoduler • Kan bruges til udskiftning af højspændingsrelæer i styreudstyr • Anvendes med strømsamlinger, der fungerer ved høje temperaturer
Hvilket temperaturområde kan enheden tåle under drift?
Den er specificeret til drift ned til -55 °C og op til 150 °C ekstreme omgivelsestemperaturer, velegnet til barske industrielle termiske forhold.
Hvor mange terminaler indeholder pakken, og hvilken monteringstype anvendes?
Enheden har tre ben og leveres i en TO-263-pakke til overflademontering til printmontering.
Hvilket maks. gate-drev skal anvendes på gate-elektroden?
Gate-kilde-spændingen må ikke overstige 30 V for at forhindre overbelastning af porten.
Hvad er den typiske koblingskarakteristik, der skal overvejes ved drevdesign?
Gate-ladningen er 36 nC, som skal tages i betragtning i driverstørrelsen for at styre skifteovergange og tab.
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 34 A 600 V Forbedring TO-263, SIHB
- Vishay Type N-Kanal 34 A 650 V Forbedring TO-263, SIHB
- Vishay Type N-Kanal 29 A 600 V Forbedring TO-263, SiHB105N60EF
- Vishay Type N-Kanal 19 A 600 V Forbedring TO-263, SiHB22N60EF
- Vishay Type N-Kanal 25 A 600 V Forbedring TO-263, SiHB125N60EF
- Vishay Type N-Kanal 41 A 600 V Forbedring TO-263, SiHB068N60EF
- Vishay Type N-Kanal 8.4 A 600 V Forbedring TO-263, EF
- Vishay Type N-Kanal 29 A 600 V Forbedring TO-263, E