Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 34 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, SIHB

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 917,10

(ekskl. moms)

Kr. 1.146,40

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 950 enhed(er) afsendes fra 26. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 - 50Kr. 18,342Kr. 917,10
100 +Kr. 16,306Kr. 815,30

*Vejledende pris

RS-varenummer:
279-9903
Producentens varenummer:
SIHB150N60E-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

34A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Serie

SIHB

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.084Ω

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

±30 V

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

184W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

64nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

10.67mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Vishay MOSFET er en E-serien effekt MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.

4. generation af E-seriens teknologi

Lav fortjeneste (FOM) Ron x Qg

Lav effektiv kapacitet

Avalanche-energimærke

Reduceret skifte- og ledningstab

Relaterede links