Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 34 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, SIHB

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 917,10

(ekskl. moms)

Kr. 1.146,40

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 950 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 - 50Kr. 18,342Kr. 917,10
100 +Kr. 16,306Kr. 815,30

*Vejledende pris

RS-varenummer:
279-9903
Producentens varenummer:
SIHB150N60E-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

34A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Serie

SIHB

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.084Ω

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

±30 V

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

184W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

64nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

10.67mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Vishay MOSFET er en E-serien effekt MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.

4. generation af E-seriens teknologi

Lav fortjeneste (FOM) Ron x Qg

Lav effektiv kapacitet

Avalanche-energimærke

Reduceret skifte- og ledningstab

Relaterede links