Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 34 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, SIHB

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 58,34

(ekskl. moms)

Kr. 72,92

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 8Kr. 29,17Kr. 58,34
10 - 28Kr. 28,535Kr. 57,07
30 - 98Kr. 27,975Kr. 55,95
100 +Kr. 26,33Kr. 52,66

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
279-9905
Producentens varenummer:
SIHB150N60E-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

34A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

TO-263

Serie

SIHB

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.084Ω

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

184W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

64nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

10.67mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Vishay MOSFET er en E-serien effekt MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.

4. generation af E-seriens teknologi

Lav fortjeneste (FOM) Ron x Qg

Lav effektiv kapacitet

Avalanche-energimærke

Reduceret skifte- og ledningstab

Relaterede links