Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 22 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, E
- RS-varenummer:
- 279-9905
- Producentens varenummer:
- SIHB150N60E-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 58,34
(ekskl. moms)
Kr. 72,92
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 986 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | Kr. 29,17 | Kr. 58,34 |
| 10 - 28 | Kr. 28,535 | Kr. 57,07 |
| 30 - 98 | Kr. 27,975 | Kr. 55,95 |
| 100 + | Kr. 26,33 | Kr. 52,66 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 279-9905
- Producentens varenummer:
- SIHB150N60E-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 22A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | E | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.137Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 36nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 179W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 10.67mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 22A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie E | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.137Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 36nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 179W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 10.67mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay serie E Power MOSFET, 600 V drain source-spænding, 22 A kontinuerlig drain-strøm - SIHB150N60E-GE3
Denne effekt-MOSFET er en højspændings N-kanals halvlederenhed, der er designet til koblings- og strømkonverteringsroller i krævende industrielle miljøer. Den fungerer over et bredt omgivelsesområde og leveres i et overflademonteret TO-263-hus til anvendelser, hvor der kræves kortmonteret strømhåndtering og termisk styring.
Egenskaber og fordele:
• 600 V mærkeværdi for afløb, der muliggør højspændingsswitching
• 22 A kontinuerlig afløbsstrøm til vedvarende belastningshåndtering
• 0.137 Ω lav Rds(on) reducerer ledningstab
• 179 W effekttab for øget termisk ydeevne
• 36 nC typisk gate-ladning til forudsigelig omskiftningskontrol
• 30 V portgrænse, der giver robuste portdrevmargener
• 22 A kontinuerlig afløbsstrøm til vedvarende belastningshåndtering
• 0.137 Ω lav Rds(on) reducerer ledningstab
• 179 W effekttab for øget termisk ydeevne
• 36 nC typisk gate-ladning til forudsigelig omskiftningskontrol
• 30 V portgrænse, der giver robuste portdrevmargener
Anvendelser
• Velegnet til industrielle motordrevinvertere
• Ideel til offline switch-mode strømforsyninger
• Anvendes sammen med højspændings DC-DC-konvertere
• Kan bruges til effektfaktorkorrektionstrin
• Velegnet til hard-switching-topologier i effektelektronik
• Ideel til offline switch-mode strømforsyninger
• Anvendes sammen med højspændings DC-DC-konvertere
• Kan bruges til effektfaktorkorrektionstrin
• Velegnet til hard-switching-topologier i effektelektronik
Hvilke hensyn til pakken påvirker termisk design af printkort?
Formatet til overflademontering af TO-263 kræver et betydeligt kobberareal og termiske ledninger under pakken for at udtrække varme og udnytte 179 W tabskapacitet, samtidig med at forbindelsestemperaturerne opretholdes.
Hvordan påvirker valg af gate-drev koblingens ydeevne?
Med en typisk gate-ladning på 36 nC og en maksimal Vgs på 30 V påvirker driverstrøm og slew-rate-styring direkte koblingstab og elektromagnetiske emissioner under overgange.
Hvilke miljømæssige ekstremer kan enheden tåle?
Den er specificeret til drift fra -55 °C op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i installationer, der er udsat for brede temperatursvingninger uden nedjustering til grundlæggende drift.
Er der begrænsninger for polaritet eller kanaldrift?
Enheden er en N-kanal MOSFET med forstærkning, derfor kræver den en positiv gate-source-spænding i forhold til kilden for at tænde og skal bruges i overensstemmelse hermed i kredsløbstopologi.
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 22 A 600 V Forbedring TO-263, E
- Vishay N-Kanal 15 A 600 V TO-263, E
- Vishay N-Kanal 13 A 800 V Forbedring TO-263, E
- Vishay N-Kanal 15 A 800 V Forbedring TO-263, E
- Vishay N-Kanal 25 A 650 V Forbedring TO-263, E
- Vishay N-Kanal 21 A 600 V Forbedring TO-263, EF
- Vishay N-Kanal 25 A 600 V Forbedring TO-263, EF
- Vishay N-Kanal 29 A 600 V Forbedring TO-263, E