Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 41 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, SiHB068N60EF Nej SIHB068N60EF-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 146,08

(ekskl. moms)

Kr. 182,60

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 13. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 20Kr. 29,216Kr. 146,08
25 - 45Kr. 24,834Kr. 124,17
50 - 120Kr. 23,368Kr. 116,84
125 - 245Kr. 21,916Kr. 109,58
250 +Kr. 21,034Kr. 105,17

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
204-7244
Producentens varenummer:
SIHB068N60EF-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

41A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

TO-263

Serie

SiHB068N60EF

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

68mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Portkildespænding maks.

30 V

Effektafsættelse maks. Pd

250W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

51nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bredde

9.65 mm

Længde

14.61mm

Højde

4.06mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay EF seriens Power MOSFET med fast Body diode har 4. Generation E-serie teknologi. Den har reduceret skift- og ledningstab.

Nominel lavine-energi (UIS)

Lavt figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Relaterede links