Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 19 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, SiHB22N60EF
- RS-varenummer:
- 188-4872
- Producentens varenummer:
- SIHB22N60EF-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 585,25
(ekskl. moms)
Kr. 731,55
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 1.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 11,705 | Kr. 585,25 |
| 100 - 200 | Kr. 10,066 | Kr. 503,30 |
| 250 + | Kr. 9,469 | Kr. 473,45 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 188-4872
- Producentens varenummer:
- SIHB22N60EF-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 19A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | SiHB22N60EF | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 182mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 48nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 179W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 4.57mm | |
| Længde | 10.41mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 19A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie SiHB22N60EF | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 182mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 48nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 179W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 4.57mm | ||
Længde 10.41mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
EF-serien Power MOSFET med Fast Body Diode.
Lavt figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Lav indgangskapacitet (Ciss)
Færre skift og ledningstab
ANVENDELSER
Strømforsyninger til server og telekom
Switch-mode strømforsyning (SMPS)
Effektfaktorkorrektion-strømforsyninger (PFC)
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 19 A 600 V Forbedring TO-263, SiHB22N60EF
- Vishay Type N-Kanal 34 A 600 V Forbedring TO-263, SIHB
- Vishay Type N-Kanal 29 A 600 V Forbedring TO-263, SiHB105N60EF
- Vishay Type N-Kanal 25 A 600 V Forbedring TO-263, SiHB125N60EF
- Vishay Type N-Kanal 41 A 600 V Forbedring TO-263, SiHB068N60EF
- Vishay Type N-Kanal 8.4 A 600 V Forbedring TO-263, EF
- Vishay Type N-Kanal 29 A 600 V Forbedring TO-263, E
- Vishay Type N-Kanal 3.6 A 600 V Forbedring TO-263, SiHFBC30AS