Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 19 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, SiHB22N60EF Nej

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 585,25

(ekskl. moms)

Kr. 731,55

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 - 50Kr. 11,705Kr. 585,25
100 - 200Kr. 10,066Kr. 503,30
250 +Kr. 9,469Kr. 473,45

*Vejledende pris

RS-varenummer:
188-4872
Producentens varenummer:
SIHB22N60EF-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

19A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Serie

SiHB22N60EF

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

182mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

48nC

Portkildespænding maks.

30 V

Effektafsættelse maks. Pd

179W

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

10.41mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

9.65 mm

Højde

4.57mm

Bilindustristandarder

Nej

EF-serien Power MOSFET med Fast Body Diode.

Lavt figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Lav indgangskapacitet (Ciss)

Færre skift og ledningstab

ANVENDELSER

Strømforsyninger til server og telekom

Switch-mode strømforsyning (SMPS)

Effektfaktorkorrektion-strømforsyninger (PFC)

Relaterede links