Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 19 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, SiHB22N60EF

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 58,52

(ekskl. moms)

Kr. 73,15

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 +Kr. 11,704Kr. 58,52

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
188-4976
Elfa Distrelec varenummer:
304-38-846
Producentens varenummer:
SIHB22N60EF-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

19A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Serie

SiHB22N60EF

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

182mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

30 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

48nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Effektafsættelse maks. Pd

179W

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

9.65 mm

Højde

4.57mm

Længde

10.41mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

EF-serien Power MOSFET med Fast Body Diode.

Lavt figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Lav indgangskapacitet (Ciss)

Færre skift og ledningstab

ANVENDELSER

Strømforsyninger til server og telekom

Switch-mode strømforsyning (SMPS)

Effektfaktorkorrektion-strømforsyninger (PFC)

Relaterede links