Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 3.6 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, SiHFBC30AS Nej SIHFBC30AS-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 118,86

(ekskl. moms)

Kr. 148,58

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 23. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 11,886Kr. 118,86
100 - 240Kr. 11,175Kr. 111,75
250 - 490Kr. 10,105Kr. 101,05
500 - 990Kr. 9,515Kr. 95,15
1000 +Kr. 8,924Kr. 89,24

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
815-2698
Producentens varenummer:
SIHFBC30AS-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

3.6A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

TO-263

Serie

SiHFBC30AS

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

2.2Ω

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.6V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

23nC

Effektafsættelse maks. Pd

74W

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

30 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

4.83mm

Bredde

9.65 mm

Længde

10.67mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

N-kanal MOSFET, 600 V til 1000 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links