Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 3.6 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, SiHFBC30AS
- RS-varenummer:
- 815-2698
- Producentens varenummer:
- SIHFBC30AS-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 109,96
(ekskl. moms)
Kr. 137,45
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 24. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 10,996 | Kr. 109,96 |
| 100 - 240 | Kr. 10,33 | Kr. 103,30 |
| 250 - 490 | Kr. 9,343 | Kr. 93,43 |
| 500 - 990 | Kr. 8,796 | Kr. 87,96 |
| 1000 + | Kr. 8,243 | Kr. 82,43 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 815-2698
- Producentens varenummer:
- SIHFBC30AS-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3.6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | SiHFBC30AS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.2Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 23nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 74W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 4.83mm | |
| Længde | 10.67mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie SiHFBC30AS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.2Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 23nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 74W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 4.83mm | ||
Længde 10.67mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal MOSFET, 600 V til 1000 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 3.6 A 600 V Forbedring TO-263, SiHFBC30AS
- Vishay Type N-Kanal 34 A 600 V Forbedring TO-263, SIHB
- Vishay Type N-Kanal 29 A 600 V Forbedring TO-263, SiHB105N60EF
- Vishay Type N-Kanal 19 A 600 V Forbedring TO-263, SiHB22N60EF
- Vishay Type N-Kanal 25 A 600 V Forbedring TO-263, SiHB125N60EF
- Vishay Type N-Kanal 41 A 600 V Forbedring TO-263, SiHB068N60EF
- Vishay Type N-Kanal 8.4 A 600 V Forbedring TO-263, EF
- Vishay Type N-Kanal 29 A 600 V Forbedring TO-263, E