Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 3.6 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, SiHFBC30AS
- RS-varenummer:
- 165-6093
- Producentens varenummer:
- SIHFBC30AS-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 276,85
(ekskl. moms)
Kr. 346,05
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 24. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 5,537 | Kr. 276,85 |
| 100 - 200 | Kr. 5,205 | Kr. 260,25 |
| 250 - 450 | Kr. 4,705 | Kr. 235,25 |
| 500 - 1200 | Kr. 4,428 | Kr. 221,40 |
| 1250 + | Kr. 4,153 | Kr. 207,65 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 165-6093
- Producentens varenummer:
- SIHFBC30AS-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3.6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | SiHFBC30AS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.2Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 74W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 23nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 4.83mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.67mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie SiHFBC30AS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.2Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 74W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 23nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 4.83mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.67mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal MOSFET, 600 V til 1000 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 3.6 A 600 V Forbedring TO-263, SiHFBC30AS
- Vishay Type N-Kanal 34 A 600 V Forbedring TO-263, SIHB
- Vishay Type N-Kanal 29 A 600 V Forbedring TO-263, SiHB105N60EF
- Vishay Type N-Kanal 19 A 600 V Forbedring TO-263, SiHB22N60EF
- Vishay Type N-Kanal 25 A 600 V Forbedring TO-263, SiHB125N60EF
- Vishay Type N-Kanal 41 A 600 V Forbedring TO-263, SiHB068N60EF
- Vishay Type N-Kanal 8.4 A 600 V Forbedring TO-263, EF
- Vishay Type N-Kanal 29 A 600 V Forbedring TO-263, E