Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 3.6 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, SiHFBC30AS Nej

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 319,25

(ekskl. moms)

Kr. 399,05

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 20. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 - 50Kr. 6,385Kr. 319,25
100 - 200Kr. 6,002Kr. 300,10
250 - 450Kr. 5,427Kr. 271,35
500 - 1200Kr. 5,107Kr. 255,35
1250 +Kr. 4,789Kr. 239,45

*Vejledende pris

RS-varenummer:
165-6093
Producentens varenummer:
SIHFBC30AS-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

3.6A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Serie

SiHFBC30AS

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

2.2Ω

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

23nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.6V

Portkildespænding maks.

30 V

Effektafsættelse maks. Pd

74W

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

10.67mm

Højde

4.83mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

9.65 mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

N-kanal MOSFET, 600 V til 1000 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links