Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 41 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, SiHB068N60EF Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 58.800,00

(ekskl. moms)

Kr. 73.500,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 12. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 19,60Kr. 58.800,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
204-7243
Producentens varenummer:
SIHB068N60EF-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

41A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

TO-263

Serie

SiHB068N60EF

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

68mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

51nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

250W

Portkildespænding maks.

30 V

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

14.61mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

9.65 mm

Højde

4.06mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay EF seriens Power MOSFET med fast Body diode har 4. Generation E-serie teknologi. Den har reduceret skift- og ledningstab.

Nominel lavine-energi (UIS)

Lavt figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Relaterede links