Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 8.4 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, EF

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (50 enheder, i en tube med 50)*

Kr. 875,15

(ekskl. moms)

Kr. 1.093,95

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 950 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager

Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 - 50Kr. 17,503Kr. 875,15
100 - 200Kr. 16,453Kr. 822,65
250 - 450Kr. 14,879Kr. 743,95
500 +Kr. 14,003Kr. 700,15

*Vejledende pris

RS-varenummer:
210-4962
Producentens varenummer:
SiHA186N60EF-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

N

Produkttype

Effekt MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

8.4A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

TO-220

Serie

EF

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

168mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

21nC

Effektafsættelse maks. Pd

33W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Portkildespænding maks.

30V

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

9.7mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Højde

4.3mm

Længde

28.1mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay EF-serie Power MOSFET, 600 V drain source spænding, 33 W maksimal effekttab - SiHA186N60EF-GE3


Denne effekt-MOSFET er en højspændings N-kanal-transistor, der er designet til anvendelser med omskiftet strøm, hvor der kræves robust drain-to-source-ydeevne og kompakt montering med gennemgående hul. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er velegnet til konstruktioner, der kræver en 600 V blokeringsevne, drives fra standard gate-spændinger og monteres på konventionelle kølelegemer.

Egenskaber og fordele:


• 600 V mærkeværdi muliggør højspændingsswitching i effekttrin
• 8.4 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter moderate belastningsstrømme
• 168 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab ved driftsstrømme
• 33 W effekttab muliggør vedvarende termisk belastning med kølelegeme
• 21 nC typisk gate-ladning giver forudsigelig koblingsenergi
• 30 V maks. portdrev tillader almindelige portdrevspændinger

Anvendelser


• Velegnet til højspændings-switch-mode strømforsyninger
• Ideel til industrielle motordrev, frontender
• Anvendes til strømkonvertering i vekselrettere til vedvarende energi
• Kan bruges til belysning af forkoblings- og lampekontrolkredsløb
• Velegnet til laboratorie- og prototypesamlinger med gennemgående huller

Hvilket gate-spændingsområde skal jeg designe til i styringskredsløb?


Hold gate-drevet inden for en grænse på ±30 V i forhold til kilden, med typisk kobling, der drives af gate-spændinger op til 30 V for at sikre sikker drift.

Hvordan påvirker termisk styring kontinuerlig strømkapacitet?


Kontinuerlig afløbsstrøm afhænger af termisk modstand over for omgivelserne

at bruge en kølelegeme til at holde forbindelsestemperaturen under 150 °C opretholder den nominelle kapacitet på 8,4 A.

Er denne enhed velegnet til bilsystemer, der kræver specifikke godkendelser?


Den har ikke godkendelser af bilkvalitet, så den bør ikke specificeres, hvor bilcertificerede komponenter er obligatoriske.

Hvilke skiftebetingelser følger af gate-ladningsværdien?


21 nC gate-ladning definerer den krævede driverstrøm og koblingsovergangstider

plan driverstørrelse for at balancere koblingstab og overgangshastighed.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.