Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 8.4 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, EF
- RS-varenummer:
- 210-4962
- Producentens varenummer:
- SiHA186N60EF-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 875,15
(ekskl. moms)
Kr. 1.093,95
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 950 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 17,503 | Kr. 875,15 |
| 100 - 200 | Kr. 16,453 | Kr. 822,65 |
| 250 - 450 | Kr. 14,879 | Kr. 743,95 |
| 500 + | Kr. 14,003 | Kr. 700,15 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 210-4962
- Producentens varenummer:
- SiHA186N60EF-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 8.4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | EF | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 168mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 21nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 33W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 28.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 4.3mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8.4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie EF | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 168mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 21nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 33W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 28.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 4.3mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay EF seriens Power MOSFET med fast body diode har tynd ledning TO-220 FULLPAK hustype.
Generation E-serie teknologi
Lavt figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Lav effektiv kapacitet (Co(er))
Færre skift og ledningstab
Nominel lavine-energi (UIS)
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 8.4 A 600 V Forbedring TO-220, EF
- Vishay Type N-Kanal 8.4 A 600 V Forbedring TO-247, EF
- Vishay Type N-Kanal 8.4 A 600 V Forbedring TO-263, EF
- Vishay Type N-Kanal 19 A 600 V Forbedring TO-220, EF
- Vishay Type N-Kanal 25 A 650 V Forbedring TO-220, EF
- Vishay Type N-Kanal 18 A 650 V Forbedring TO-220, EF
- Vishay Type N-Kanal 29 A 650 V Forbedring TO-220, EF
- Vishay Type N-Kanal 70 A 600 V Forbedring TO-247, EF