Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 16 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, EF
- RS-varenummer:
- 204-7248
- Producentens varenummer:
- SIHF068N60EF-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*
Kr. 20.016,00
(ekskl. moms)
Kr. 25.020,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 29. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | Kr. 20,016 | Kr. 20.016,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 204-7248
- Producentens varenummer:
- SIHF068N60EF-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 16A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | EF | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 68mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 39W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 51nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bredde | 10mm | |
| Længde | 28.6mm | |
| Højde | 4.6mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 16A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie EF | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 68mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 39W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 51nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bredde 10mm | ||
Længde 28.6mm | ||
Højde 4.6mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay EF seriens effekt-MOSFET, 600 V maksimal drain-kildespænding, 16 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SIHF068N60EF-GE3
Denne effekt-MOSFET er en højspændings N-kanalforbedringsenhed, der er beregnet til strømkobling og styring i industrielle og elektroniske systemer. Den er optimeret til montering gennem hul i TO-220-pakker og passer til anvendelser, der kræver robust spændingshåndtering og fleksibilitet i portdrev. Enheden fungerer over et bredt temperaturområde og er velegnet til design, hvor konventionelle overflademonterede dele er upraktiske.
Egenskaber og fordele:
• 600 V drain-source mærkeværdi muliggør højspændingskontaktkapacitet • 68 mΩ Rds(on) minimerer ledningstab under belastningsdrift • 16 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter moderate effektbelastninger • 51 nC typisk gate-ladning giver mulighed for forudsigelig omskiftning • 39 W maksimal effekttab styrer termisk belastning i kredsløb • 30 V porttolerance muliggør kompatibilitet med standard portdrivere
Anvendelser
• Velegnet til omskiftning på netsiden i industrielle konvertere • Ideel til frontender til højspændingsmotordrev • Anvendes til switch-mode strømforsyninger, der håndterer forhøjede spændinger • Kan bruges til effektfaktorkorrektionstrin i større systemer • Anvendes med diskrete strømforsyningsenheder, der kræver montering gennem hul
Hvilke ekstreme temperaturer kan enheden modstå under drift?
Den er specificeret til drift ned til -55 °C og op til 150 °C, der passer til koldstartforhold og miljøer med høje temperaturer.
Hvordan skal termisk styring tilgås for vedvarende drift?
Med en maksimal dissipation på 39 W anbefales en kølelegeme eller chassismontering for at opretholde samletemperaturen inden for sikre grænser under kontinuerlige belastninger.
Hvilke hensyn til gate-driver er nødvendige for pålidelig omskiftning?
Porten skal styres inden for ±30 V
den typiske gate-ladning på 51 nC hjælper med at estimere den krævede driverstrøm og koblingstab.
Påvirker emballagen valg af kortmontering?
TO-220-formatet med gennemgående hul letter manuel eller bølgelodningsmontering og giver en robust mekanisk forbindelse til layouter med høj effekt.
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 16 A 600 V Forbedring TO-220FP, SiHF068N60EF
- STMicroelectronics Type N-Kanal 11 A 600 V Forbedring TO-220FP, MDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 6 A 600 V Forbedring TO-220FP, SuperMESH
- Infineon Type N-Kanal 15 A 600 V Forbedring TO-220FP, CoolMOS C3
- Vishay Type N-Kanal 5.5 A 600 V Forbedring TO-220FP, IRFI
- STMicroelectronics 1 Type N-Kanal Enkelt 11 A 600 V Forbedring TO-220FP, MDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 10 A 600 V Forbedring TO-220FP, FDmesh
- Vishay Type N-Kanal 4.5 A 100 V Forbedring TO-220FP
